SEMI M23 - 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様 -

Abstract

注意： SEMI M23の表示は，SEMI M23.6が追加されたこと， 0703 の出版サイクルで改訂されたものである。

本仕様は，半導体および電子デバイス製造に使用される単結晶高純度リン化インジウムウェーハの基板に対する要求条件について検討している。

完全な購入仕​​様としては、さらに物理的、電気的およびバルク特性を規定する必要がある。これらの特性はその大きさを決定する適切なテスト方法とともに記載される。

下位基準:

SEMI M23.1-0600 — 50mm 鏡面単結晶インジウムリンウェーハの仕様

SEMI M23.2-1000 — 3 インチ(76.2mm) 鏡面単結晶燐化インジウムウェーハのスタンダード

SEMI M23.3-0600 — 半径鏡面単結晶インジウムウェーハの規格

SEMI M23.4-0999 — 電子デバイスともオプトエレクトロニクス用途100mm径鏡面単結晶インジウムリンウェーハ仕様（ドーブテイルタイプ）

SEMI M23.5-1000 — 電子デバイスともオプトエレクトロニクス用途100mm 径鏡面単結晶

インジウムリンウェーハ仕様（ V-GROOVE オプション）

SEMI M23.6-0703 — 150 mm 鏡面単結晶インジウムリンウェーハ（ノッチ付き）の仕様

SEMI M39 — 半絶縁性 GaAs 単結晶の抵抗率とホール係数を測定し、ホール移動度を決定するための試験方法

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