SEMI M19 - バルクガリウムヒ素単結晶基板の電気的特性の仕様 -

Abstract

仕様では、半絶縁性、 n型、およびp型の 3 つの主要なタイプの材料が特定されました。これには、ガリウムヒ素 (GaAs) の導電率特性の全範囲が含まれます。 § 3 では、導電性タイプを生成するために使用できる種を定義するこれらの特性のサブクラスを検討します。半絶縁材料の場合は、特殊なケースが分離されています。

ドープされていないグレード A1 は、追加のアニーリングや処理を必要とせず、抵抗率が高く、成長後に安定した材料を表します。グレード A2 の「高純度」材料では、抵抗率を 107 Ω-cm を超えるレベルにするために、成長後に追加の熱処理が必要です。現時点では、ほとんどの生産者は、グレード A2 インゴットの大部分が、適切な熱サイクル後に許容範囲に上昇する抵抗率特性を備えていることを示しています。ただし、この現象は時間と温度のサイクルの詳細に影響されるため、すべてのアプリケーションでこのような増加が保証されるわけではありません。したがって、この材料を示すために「グレード A2」というラベルが使用されます。

クロムをドーピングすると、高抵抗率の材料が生成されます。ただし、加工中に Cr が急速に拡散し、表面に蓄積する傾向があるため、グレード 3.A.1 および 3.A.2 ほど加工には適していないため、この材料を「グレード A」に割り当てます。

等電ドーパントの添加は抵抗率に大きな影響を与えないようですが、むしろ最終製品での転位の発生を減少させることができます。したがって、この材料はグレード A に分類されます。In が最も効果的な硬化剤ですが、Al、P、および Sb も実行可能な種です。これらは完全を期すため、また、後日文書が改訂される可能性を減らすために含まれています。グレード B 仕様には、不純物と点欠陥密度のバランスが適切ではないものの、抵抗率がそれほど厳しくない用途に適している材料が含まれます。

導電性材料については、最もよく特徴付けられた非遷移金属種がn型ドーパントとして含まれています。 p型の場合、遷移金属は有用なアクセプター不純物であるため、より広範囲の種が含まれています。

なし。

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