SEMI M19 - バルク・ガリウムヒ素単結晶基板の電気的性質（仕様） -

Abstract

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仕様として、3つの主なタイプに分けられる。ちなみに、半絶縁性、n型及びp型である。これはガリウムヒ素（ GaAs ）の導電率の全範囲を含んでいる。

第3項では、必要とする導電率タイプを製造するためのドーパントの種類を規定し、さらに縮約した検討を行っている。来た。

アンドープグレードA1とは、付加的なアニールやプロセスを必要とせずに成長後に高抵抗で安定した材料を表します。 「 高純度」なグレードA2 材料とは、抵抗率を107Ω-cm 以上のレベルにこのとき、大部分のグレードA2インゴットは、適切な温度サイクルの後に抵抗率特性が許容し得る範囲にまで高められるということを、相当のしかしながら、この現象は時間－温度サイクルの詳細事項に対して敏感であるため、そのような抵抗率の拡大の歴史は全ての応用例について保証することはできない。 グレードA2」 がこの材料を表すのに使用される。

クロミウムをドープすると高抵抗の材料が得られる。ただし、プロセス中にクロムがかかることや表面に近接する傾向があるため、グレード3.A.1 や3.A.2 程にはプロセスによく適合しません。

等電価ドーパントの添加は抵抗率に極めて影響を及ぼさないように考えられ、勝手に、最終製品の転位の発生を低下させる。そのため、この材料はグレードA に分類される。 ある硬化材料であり、A l 、P及びSbもまた効果的なドーパント種である。

グレードB仕様は、不純物及びポイント欠陥密度が適切なバランスを完全には保っていないが、抵抗率があまり厳しく指定されない用途に適する材料を含んでいる。

導電性材料については，特性が最も良く判っている非遷移金属 n 型ドーパントとして用いられてきた。なアクセプター不純物である。

第4項では、3項で規定されたような半絶縁性材料の抵抗率及び安定性を定義している。 材料にはきびしい制限が設けられた。 クロムがドープされた材料における表面変性の問題は、アニーリング後のn 型特性に対して無視しないことにより処理された。

なし。

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