
SEMI M16 - 多結晶シリコンの仕様 -
Abstract
本仕様は、グローバルシリコンウェーハ委員会で技術的に承認されている。現版は、2010年8月27日、グローバル監査審査小委員会にて発行が承認された。 org で入手可能となる。初版は1989年発行、前版は2003 年1 月1日発行。
本仕様が意図しているものは,電子材料グレード単結晶シリコンインゴット成長のために用いられる多結晶シリコンの調達に使用することである。 ,蓄積回路,マイクロエレクトロメカニカルシステム( MEMS )を含む他のマイクロエレクトロニック部品の製造に使用される。
参照されるSEMI規格
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF1708 — メルターゾーナー分光法による粒状ポリシリコンの評価の実践
SEMI MF1723 — フロートゾーン結晶成長と分光法による多結晶シリコンロッドの評価の実践
SEMI MF1724 — 酸抽出原子吸光分光法による多結晶シリコンの表面金属汚染を測定するための試験方法
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M01600 - SEMI M16 - 多結晶シリコンの仕様
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