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SEMI M14 - 半絶縁ガリウムヒ素単結晶のためのイオン注入及び活性化プロセス（仕様） -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
注意: この翻訳は参考コピーのみです。英語版と他の言語の翻訳との間に相違がある場合、英語版が正式かつ正式なバージョンとなります。
免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。ある場合には英語版記載内容が優先されます。
SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。
本書の目的は、絶縁半GaAsの異なるロット間において有意義な比較ができるように、イオン注入、活性化及び生成レイヤーの測定のためのプロセスを考慮することである。表されるように，サプライヤによって実施されることになろう。
候補は，標準ASTM評価技術を使用して，抵抗率，移動度及び温度安定性に対するSEMI GaAs 仕様を満足しなければなりません。
表面の準備：残留酸化物を取り除くように表面処理を計画しなければなりません。
注入角度を持ったエネルギーの種類及び注入量： 2×1012/cm2の注入量を持つSi 29 を使用した150KeVのエネルギー。＜ 100 ＞から＜ 110 ＞の方向へ11 ～ 13° の傾き。
表面の準備：活性化の前には化学的処理を実施しません。
活性化：サンプルは、表面に直接接触している2次警戒ウェーハハとともに850℃の温度に10分間さらされなくてもよい。炉の雰囲気は窒素またはアルゴンのようなガスでいられません。
活性化されたサンプルの評価は，標準ASTM技術に従って規定されているCV 輪郭，移動度及び抵抗率に基づかなければならない。
参照されるSEMI規格なし。
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