SEMI M9 - 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様 -

Abstract

この仕様は、半導体および電子デバイスの製造に使用される単結晶高純度ガリウム砒素ウェハの 2 つのグループの基板要件をカバーしています。寸法および結晶学的配向特性と表面欠陥の制限は、以下に示す唯一の標準化された特性です。

完全な購入仕​​様では、追加の物理的、電気的、およびバルク特性の定義が必要になる場合があります。これらの特性は、そのような手順が文書化されている場所に、その大きさを決定するのに適した試験方法とともにリストされています。

この仕様は、特に片面または両面が研磨されたガリウムヒ素ウェーハを対象としています。未研磨のウェーハまたはエピタキシャル膜付きウェーハは対象外です。ただし、そのようなウェーハの購入者にとって、この仕様は要件を定義するのに役立つと思われる場合があります。

下位標準 (含まれる):

SEMI M9.1-0813 (撤回 0822) — 電子デバイス用途向けの円形 50.8 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様

SEMI M9.2-0813 — 電子デバイス用途向けの円形 76.2 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様

SEMI M9.3-0812 — 光電用途向けの直径 2 インチの円形研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様

SEMI M9.4-0812 — 光電用途向けの直径 3 インチの円形研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様

SEMI M9.5-0822 — 電子デバイス用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様

SEMI M9.6-0813 (撤回 0822) — 直径 125 mm の円形研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの仕様

SEMI M9.7-0914 — 直径 150 mm の円形研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハ (ノッチ付き) の仕様

SEMI M9.8-0306 (再承認 0812) — 円形 200 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハ (ノッチ付き) の仕様

SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド

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