SEMI M9 - 鏡面単結晶ガリウムヒ素スライスの仕様 -

Abstract

本基準は、global Compound Semiconductor Materials Committee で技術的に承認されている。現版は2010年12 月21日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。 初版は1986年発行、前版は2008年3 月に発行された。

本仕様は，半導体および電子デバイス製造に使用される単結晶高純度ガリウムヒ素ウェーハの2つのグループの基板に対する要求条件について述べている。性能として言及されている。

下位文書:

SEMI M9.1-96E (再承認 0308) — 電子デバイス用途向けの円形 50.8 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの規格

SEMI M9.2-96E (再承認 0308) — 電子デバイス用途向けの円形 76.2 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの規格

SEMI M9.3-89 — 光電用途向けの直径 2 インチの円形研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの標準

SEMI M9.4-89 — 光電用途向けの直径 3 インチの円形研磨単結晶ガリウムヒ素スライスの標準

SEMI M9.5-96E (再承認 0308) — 電子デバイス用途向けの円形 100 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの規格

SEMI M9.6-95E (再承認 0308) — 直径 125 mm の円形研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハの標準

SEMI M9.7-0708 — 直径 150 mm の円形研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハ (ノッチ付き) の仕様

SEMI M9.8-0306 — 円形 200 mm 研磨単結晶ガリウムヒ素ウェハ (ノッチ付き) の仕様

SEMI MF26 — 半導体シングルの方向を決定するための試験方法結晶

SEMI MF154 — シリコンの鏡面に見られる構造と汚染物質の特定に関するガイド

SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践

SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法

SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法

SEMI MF657 — 非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび総厚さの変動を測定するための試験方法

SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法

SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法

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