SEMI M1 - 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様 -

Abstract

単結晶シリコンウェーハは、本質的にすべての集積回路および他の多くの半導体デバイスに利用されています。複数のデバイス製造ラインで共通の処理装置を使用できるようにするには、ウェーハの寸法を標準化することが不可欠です。

さらに、高密度集積回路の要素の寸法がますます小さくなるように技術が進歩するにつれて、ウェーハの追加の特性を標準化することが重要になっています。

この仕様は、研磨ウェーハ、エピタキシャルウェーハおよび他の特定の種類のシリコンウェーハ用の基板を含む、シリコンウェーハの重要な寸法および他の特定の共通特性を提供します。

この仕様には、半導体デバイスおよび集積回路の製造に使用される高純度 (電子グレード) の単結晶研磨シリコン ウェーハの注文情報と特定の要件が記載されています。このようなウェーハは通常、スライス前に均一な直径に研削された円筒形の単結晶インゴットからスライスされます。この仕様には、エピタキシャル、アニール、SOI ウェーハなど、他の種類のウェーハの基板 (または開始ウェーハ) として使用することを目的とした電子グレードのシリコンウェーハの注文情報と特定の要件も含まれています。

標準化された寸法要件は、§ 6 の表にリストされているように、標準化された研磨ウェーハの多数のカテゴリに対して提供されています。

厚さ、全厚さ変動 (TTV)、反り、および反りについて与えられた値は、裏面膜、外部ゲッタリング処理、またはその他の熱処理を適用する前のウェーハにのみ適用されます。

この仕様は、少なくとも 1 つの表面が化学機械研磨されたプライムシリコンウェーハに特に適用されます。研削済み、ラップ済み、および研磨されていないウェーハは対象外ですが、この仕様はそれらの調達に関するガイダンスを提供する場合があります。

この仕様は、32、22、および 16 nm テクノロジー世代の直径 300 mm および 450 mm のプライム シリコン ウェーハの仕様に関するガイドも提供します。これらは関連情報 1 に含まれています。

この仕様には、以下の関連するタイプのシリコン材料およびウェーハの要件は含まれていません。

• 多結晶シリコン (SEMI M16 または JEITA EM-3601A を参照)、

• エピタキシャルウェーハ (SEMI M62 を参照)、

• 埋め込み層付きエピタキシャルウェーハ (SEMI M61 を参照)、

• テストウェーハ (SEMI M8 を参照)、

• プレミアムウェーハ (SEMI M24 を参照)、

• 再生ウェーハ (SEMI M38 を参照)、

• アニールされたウェーハ (SEMI M57 を参照)、

• SOI ウェーハ (SEMI M41、SEMI M71、または JEITA EM-3603B を参照)、および

• ソーラーグレードのシリコンウェーハ（SEMI PV22を参照）。

ただし、テスト ウェーハ、プレミアム ウェーハ、再生ウェーハの注文情報だけでなく、エピタキシャル ウェーハ、アニール ウェーハ、SOI ウェーハの準備に使用される研磨済み基板と出発ウェーハの注文情報も提供します。

参考のために、公称直径 2 インチおよび 3 インチのウェーハには米国の慣用単位を使用し、直径 100 mm 以上のウェーハには SI (システム インターナショナル、一般にメートル法と呼ばれる) 単位を使用します。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI M8 — 研磨単結晶シリコンテストウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M13 — シリコンウェーハの英数字マーキングの仕様
SEMI M16 — 多結晶シリコンの仕様
SEMI M18 — シリコンウェーハの注文入力のための仕様書フォーム作成ガイド
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M24 — 研磨単結晶シリコンプレミアムウェーハの仕様
SEMI M26 — ウェーハの輸送に使用される 100、125、150、および 200 mm ウェーハ輸送ボックスの再利用に関するガイド
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
SEMI M38 — 研磨再生シリコンウェーハの仕様
SEMI M40 — シリコンウェーハの平面粗さ測定ガイド
SEMI M41 — パワーデバイス/IC 用のシリコン オン インシュレータ (SOI) の仕様
SEMI M43 — ウェーハナノトポグラフィーのレポートガイド
SEMI M44 — シリコン内の格子間酸素の変換係数ガイド
SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様
SEMI M49 — 130 nm ～ 16 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハの形状測定システムを指定するためのガイド
SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面上の単分散基準球の認定された堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M57 — シリコンアニールウェーハの仕様ガイド
SEMI M58 — DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI M61 — 埋め込み層を備えたシリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M62 — シリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M67 — ESFQR、ESFQD、およびESBIRメトリクスを使用して、測定された厚さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するための実践
SEMI M68 — 曲率メトリクス、ZDD を使用して、測定された高さのデータ配列からウェーハのニアエッジ形状を決定するためのテスト方法
SEMI M70 — 部分的なウェーハサイトの平坦度を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法
SEMI M71 — CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレーター(SOI)ウェーハの仕様
SEMI M73 — 測定されたウェーハエッジプロファイルから関連特性を抽出するための試験方法
SEMI M77 — ロールオフ量、ROA を使用してウェーハのニアエッジ形状を決定するための試験方法
SEMI M78 — 大量生産における 130 nm ～ 22 nm 世代のパターン化されていないシリコンウェーハのナノトポグラフィーを決定するためのガイド
SEMI M85 — 誘導結合プラズマ質量分析によるシリコンウェーハ表面の微量金属汚染の測定ガイド
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF28 — 光伝導減衰の測定によるバルクゲルマニウムおよびシリコンの少数キャリア寿命の試験方法
SEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF391 — 定常状態の表面光起電力の測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF525 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定する試験方法
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流ゲージを使用して半導体スライスの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定する試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定する試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF951 — シリコンウェーハの半径方向の格子間酸素変動を測定するための試験方法
SEMI MF978 — 過渡容量技術による半導体の深いレベルの特性評価のためのテスト方法
SEMI MF1048 — 反射全積分散乱を測定するための試験方法
SEMI MF1049 — シリコンウェーハの浅いエッチピット検出の実践
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1188 — 短いベースラインでの赤外線吸収によるシリコンの格子間酸素含有量の試験方法
SEMI MF1239 — 格子間酸素還元の測定によるシリコンウェーハの酸素析出特性の試験方法
SEMI MF1366 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープシリコン基板の酸素濃度測定の試験方法
SEMI MF1388 — 金属酸化シリコン (MOS) コンデンサの容量時間測定によるシリコン材料の生成寿命と生成速度の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法
SEMI MF1391 — 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法
SEMI MF1451 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハのソリを測定する試験方法
SEMI MF1528 — 二次イオン質量分析による高濃度ドープn型シリコン基板のホウ素汚染測定の試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1535 — マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、鉄を測定するための試験方法
SEMI MF1619 — ブリュースター角でのp偏光放射入射による赤外吸収分光法によるシリコンウェーハの格子間酸素含有量の測定のための試験方法
SEMI MF1726 — シリコンウェーハの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI MF1727 — 研磨されたシリコンウェーハの酸化誘発欠陥の検出の実践
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド
SEMI MF1982 — 昇温脱離ガスクロマトグラフィーによるシリコンウェーハ表面の有機汚染物質の分析試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド
SEMI PV13 — 渦電流センサーを使用したシリコンウェーハ、インゴット、レンガの非接触過剰電荷キャリア再結合寿命測定の試験方法
SEMI PV22 — 太陽光発電セルで使用するシリコンウェーハの仕様
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様

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