SEMI HB1 - 高輝度発光ダイオードデバイスの製造に使用するためのサファイアウェーハの仕様 -

Abstract

この規格は、HB-LED グローバル技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2016 年 5 月 11 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2016 年 8 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 2013 年 1 月に出版されました。以前は 2015 年 3 月に出版されました。

サファイアウェーハは、LCD バックライト、看板、固体照明などの複数の用途に使用される高輝度発光ダイオード (HB-LED) デバイスの製造に広く使用されています。製造効率の向上とコスト削減は、業界の継続的な進歩を可能にする重要な要素です。サファイア ウェーハは、これらの目標を達成するための重要な転換点となります。最近のSEMIの調査では、複数の製造ステップにわたる製造自動化を実現するために重要な主要なパラメータと寸法が特定されました。この仕様書は、そのようなウェーハを指定するために必要な情報を提供することを目的としています。

この仕様では、HB-LED の製造に使用される 5 つのカテゴリーの単結晶片面研磨サファイア ウェーハの寸法、ウェーハの準備、および結晶方位の特性について、以下のとおり説明します。

• カテゴリ 4a – 平坦化された直径 100 mm、厚さ 650 µm、研磨済みの c 軸サファイア ウェーハ
• カテゴリー 6a – 平坦な直径 150 mm、厚さ 1,000 µm、研磨済みの c 軸サファイア ウェーハ
• カテゴリ 6b – 平坦化された直径 150 mm、厚さ 1,300 µm、研磨済みの c 軸サファイア ウェーハ
• カテゴリー 6c – ノッチ付き、直径 150 mm、厚さ 1,000 µm、研磨済み c 軸サファイアウェーハ
• カテゴリー 6d – ノッチ付き、直径 150 mm、厚さ 1,300 µm、研磨済み c 軸サファイアウェーハ

また、仕様書には特性を求めるのに適した測定方法が示されています。

規格値が定められている特性は規格表に記載しております。

完全な購入仕​​様には、追加の特性と、その大きさを決定するのに適したテスト方法を指定する必要があります。このような特性に関するガイダンスは、関連情報 1 に記載されています。

この仕様は、特に片面が研磨されたサファイアウェーハを対象としています。両面研磨されたウェーハ、研磨されていないウェーハ、またはエピタキシャル膜付きウェーハはカバーされません。ただし、そのようなウェーハの顧客は、この仕様が要件を定義する際の有用なガイドであることが分かるかもしれません。

審判の目的で、すべてのサファイア ウェーハには SI (システム インターナショナルで一般にメートル法と呼ばれる) 単位が使用されます。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M12 — ウェーハ前面のシリアル英数字マーキングの仕様
SEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践
SEMI M40 — 研磨されたウェーハの平面の粗さ測定のためのガイド
SEMI M65 — 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
SEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の補助なしの目視検査の実践
SEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法
SEMI MF534 — シリコンウェーハの反りの試験方法 (撤回 0115)
SEMI MF671 — シリコンおよびその他の電子材料のウェーハの平坦長さを測定するための試験方法
SEMI MF847 — X線技術による単結晶シリコンウェーハ上の平坦部の結晶方位を測定する試験方法
SEMI MF928 — 円形半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板のエッジ輪郭の試験方法
SEMI MF1152 — シリコンウェーハのノッチ寸法の試験方法
SEMI MF1390 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの反りおよび反りを測定する試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド

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