SEMI E163 - 特別に指定されたエリア内のレチクルおよびその他の静電気超敏感性（EES：EXTREMELY ELECTROSTATIC SENSITIVE）アイテムの取り扱いのためのガイド -

この文書の目的は、半導体製造装置と施設での静電と電界によって確保される生産性に対する悪影響を最小限にすることである。 有するレチクルとその他のアイテムのために取り扱い環境での最適な静電気両立性を確立するためのガイドである。方法を改善することを意図している。

この文書は、レシクルおよびその他のEESアイテムを使用する、あるいは生産する人員へのガイドとして、装置の設計からテストまでの期間に装置製造業者のために使用することが出来る。

半導体と電子デバイスの製造者でのベンダー製造技術は、高密度化および高複雑化の方向に進化し続けている。この文書は、これの静電気電荷の移動技術に加えて、電界に関するより綿密な調査を行うための問題に取り組むための推奨事項を提供している。

この文書の適用範囲は，特別に指定された管理環境およびその環境内で維持するべき適切な界の適切な電位の推奨範囲内で先レチクルおよびその他のEES項目の基本的な定義に制限されている。

この文書では，このガイダンスは特別に指定されて明確に識別された領域でのみ適用されるため，すでに確立された静電気電荷制御方法（例，HBM感度100VのデバイスのためのANSI/ESD S20. 20の規定など）と矛盾する接地方法と材料選定についての推奨事項を紹介している。

この文書では、SEMI E78 、 SEMI E129 、 SEMI E43 などの静電気パラメータの測定方法を参照しています。提供する納得的なものである。

この文書では、静電界とその影響について頻繁に中断をする方、このガイドの目的としては、交流成分を広範囲に渡って過渡的な電界と電磁界を含めて考慮していいとよい。 すべての電界がEESアイテム内に潜在的に電気的ストレスを発生させることがあり得ます。

この文書でレチクルに居る場合には、深く掘り下げて説明するために使われているEESアイテムの例と見なすとよい。このガイダンスで論じられている原理は、レチクルとレチクルの取り扱いのためこのようなEES アイテムとしては，ウェーハ上に形成された小型のデバイス，デバイス帯電モデル（ CDM ）性が問題となるバックエンド工程（例，テスト工程）での封止型のデバイス，および平面パネル型ディスプレィ（ FPD ）製造でのガラス基板上のデバイスが含まれる。

SEMI E43 — 物体および表面の静電気測定の推奨方法
SEMI E78 — 機器の静電気放電 (ESD) および静電気吸引 (ESA) を評価および制御するためのガイド
SEMI E129 — 半導体製造施設における静電気の評価と制御に関するガイド