SEMI E143 - 50Ωの負荷に対する出力変動の測定およびすべての位相角において電圧定在波比が2.0の負荷に対する出力変動とスペクトルを測定するための試験方法 -

Abstract

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本基準は、Metrics Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年12月24日、global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2012年5月にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2006年3月発行。

注意:この文書は、編集上の修正を行い、再承認されました。

本試験方法の目的は，SEMI E113をサポートし，高周波(RF)電力供給装置における実際の動作をシミュレーションするために，統合および不整合負荷の双方に対して駆動されている半導体処理装置用RF発生器の出力電力とスペクトル詳細を測定する正確な手段を提供することである。

本試験方法は、RF発生器の出力電力およびスペクトル変動を正確に決定するために必要な試験手順および試験機器を信頼する。これらすべてはメーカーが推奨する適切な手法によって事前に検討されているものとしている。また、本試験方法はRF発生器の主な性能特性3種の正当性の基準に使用して以下のSEMI E113仕様をサポートするためのものである。

本試験方法は，RF発生器を統合負荷(50Ω)で動作させた場合に，要求電力レベルの±1%未満の偏差で一貫した電力(一応，および定常ウェーハ処理条件において)を提供することを確認するために使用する。

本試験方法は、RF発生器を最大出力定格電力の10%から100%というあらゆる角位相において反射係数が0.33(VSWRが2.0以上)である最も負荷の低い動作をさせた場合に、要求電力レベルの±1.5%未満の偏差で継続した電力(当面，および定常ウェーハ処理条件において)を提供することを確認するために使用される。

本試験方法は、最大定格電力出力の10%から100%というあらゆる面角において反射係数が0.33以上(VSWRが2.0以上)である限界で動作させた場合に、単一または固定周波数出力を提供する発生するRF発生器が−40 dB以下の出力電力高調波またはスプリアス・スペクトルの詳細を提供することを確認するために使用する。

本試験方法は、以下の２つの条件が満たされ理解されている場合には、任意または複数周波数出力のRF発生器に対する出力電力高調波やスプリアス・スペクトルの確認にも使用可能である。

一定周波数RF発生器は，本試験で評価な結果を得るために単一の固定周波数モードにならない。

固定周波数RF発生器の出力電力高調波またはスプリアス・スペクトルは、通常固定周波数RF発生器に対する-40 dBの要件よりも高くなります。

本試験手法の主な焦点は半導体処理装置であり以下の装置種を含むが、これに限定されるものではない。

・ドライエッチ装置

・膜蒸着装置（CVDとPVD）

SEMI E113 — 半導体処理装置のRF電力供給システムの仕様
SEMI E114 — 半導体処理装置のRF電力供給システムで使用されるRFケーブルアセンブリの試験方法

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