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SEMI E135 - 半導体処理装置で使用される RF 電力供給システムの過渡応答を決定するための RF ジェネレータのテスト方法 -
Volume(s):
Equipment Automation Hardware
Language:
English
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
この規格は、Metrics Global Technical Committee によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 7 月 6 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 9 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。初版は 2004 年 7 月に出版されました。以前は 2012 年 5 月に出版されました。
注意: このドキュメントは 2018 年に完全に書き直されました。
この文書の目的は、SEMI E113 をサポートする半導体処理装置の RF 電力供給システムで使用される無線周波数 (RF) 発生器の過渡応答を決定するために使用されるテスト方法を定義することです。
この文書は、要求された出力電力の変化から生じる RF 発生器の過渡応答を決定するために必要なテスト手順とテスト装置を指定します。応答は、公称の高および低インピーダンス負荷で動作する RF 発生器に対して決定されます。
この規格は、50 Ω負荷および非 50 Ω 負荷に電力を供給するように設計された RF 発生器に適用されます。
この文書の主な焦点は、次の種類の装置を含むがこれらに限定されない半導体処理装置です。
• ドライエッチング装置、
• 成膜装置 (化学気相成長法 [CVD] および物理気相成長法 [PVD])。
参照されるSEMI規格SEMI E113 — 半導体処理装置のRF電力供給システムの仕様
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