
SEMI E135 - 半導体処理装置の高周波(RF)電力供給システムの過渡応答を決定するためのRF発振器のテスト方法 -
Abstract
本標準は、global Metrics Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年12月24日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2004年7月発行。
注意: この文書は、編集上の修正を行い、再承認されました。
本書の目的は、半導体処理装置の高周波( RF )電力供給システムに使われるRF発振器の過渡応答を決定するテスト方法を定義し、SEMI E113をサポートすることである。
本書では、公称50Ωの負荷で動作RF発振器の過渡応答を、電力を要求した時点から(RFイネーブル信号など) RF出力信号が起動あるいは停止するまでの遅延時間も含めて、設定値レベルの変化の関数として決定するために必要なテスト手順およびテスト装置を指定する。
本書の主な対象は、次のタイプの装置を含み、かつそれらに限定されない半導体処理装置である。
- ドライエッチング装置
- 膜堆積装置( CVDとPVD )
SEMI E113 — 半導体処理装置のRF電力供給システムの仕様
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E13500 - SEMI E135 - 半導体処理装置の高周波(RF)電力供給システムの過渡応答を決定するためのRF発振器のテスト方法
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