SEMI E113 - 半導体処理装置の高周波（RF）電力供給システム用仕様 -

Abstract

注意: この翻訳は参考コピーのみです。英語版と他の言語の翻訳との間に差異がある場合、英語版が正式かつ正式なバージョンとなります。

免責事項：このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。ある場合には英語版記載内容が優先されます。

SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。

本基準は、Metrics Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2011年12月24日、global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2012年5月にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2001年11月発行。前版は2006年3月発行。

注意:この文書は、編集上の修正を行い、再承認されました。

プロセス・プラズマが、薄膜のエッチングまたは堆積を通して半導体産業に使われる。大のプロセス・チェンバーは、プラズマを作り、維持するために高周波(RF)電力を使う。ウエーハ処理結果に直接衝撃を考えるために，RF電力供給システムは半導体製造技術の重要な要素である。全RF（高周波）電力発生システムの正確で再現可能な性能，影響されるRFを含む，プラズマのパラメータが，一般に認められた最大範囲内で構いません。

RF限界性と反復性のための設計基準は標準化テストとRF電力供給システムの性能評価とチェンバーの制御測定器の性能評価を必要とする。チャックおよびコイル）が特徴付けられるだけでなく、統合システムの性能もまた、意図された動作範囲の間特徴付けられなくてもよい。

この標準の意図は，システムとサブシステムの性能を改善するために，半導体処理装置用のRF電力供給仕様を提供することである。と同様に性能基準を概説する。に特徴づけられたRF電力供給システムを生産するために必要な仕様を提供することである。

この文書は半導体産業で使われたRF装置用の最悪の性能基準を規定する。特定のテスト方法または性能確認の手続きに取り組むものではない。

この仕様は主に半導体処理装置に的を絞り、下記の装置タイプを含むが、別途限定されるものではない。

・ドライエッチ装置

・薄膜堆積装置（CVDとPVD）

この仕様は、電力がプラズマを使うために、維持するために直接できる半導体処理装置のRF （高周波）電力供給システムに適用される。

SEMI E10 — 機器の信頼性、可用性、保守性 (RAM) の定義と測定に関する仕様
SEMI E78 — 静電気両立性 – 機器の静電気放電 (ESD) および静電気吸引 (ESA) を評価および制御するためのガイド
SEMI E114 — 半導体処理装置のRF電力供給システムで使用されるRFケーブルアセンブリの試験方法
SEMI E115 — 半導体処理装置のRF電力供給システムで使用される整合ネットワークの負荷インピーダンスと効率を決定するための試験方法
SEMI E135 — 半導体処理装置で使用される RF 電力供給システムの過渡応答を決定するための RF ジェネレータのテスト方法
SEMI E136 — 半導体処理装置のRF電力供給システムで使用されるRF発生器の出力電力を決定するための試験方法

Interested in purchasing additional SEMI Standards? Consider SEMIViews, an online portal with access to over 1000 Standards.

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.