
SEMI E78 - 装置のための静電気放電(ESD)と静電気吸着(ESA)の評価と管理へのガイド -
Abstract
本標準は、global Metrics Technical Committee で技術的に承認されている。現版は2012年8月30日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は1998年9月発行。前版は2009年3月発行。
この文書の目的は、半導体製造装置の中で静電気電荷および電界に発生した生産性への悪影響を最小限にすることである。半導体工場全体の静電気的な互換性は、 SEMI E129に同意している。
静電気の表面電荷は,半導体製造環境の中で多くの注目されない効果を考える。
また、ESDイベントは電磁干渉(EMI :電磁妨害)を警戒し、その結果、設備故障が発生する。
帯電したウェーハやレチクルの表面は圧力を吸着(静電気吸着、またはESA : 静電引力)し、不良率を増加させます。また、製品に存在する電荷は、装置故障や製品自体の破壊の原因となることがございますある。
静電気による装置動作上の問題と製品欠陥の増加は,半導体製造装置のすべてのコスト( COO : Cost of Ownership )へのマイナス削減となる( SEMI E35を参照のこと)。
この文書は、装置製造業者が装置の設計および試験を行う際に使用される。 記載された試験方法は、装置の動作確認と装置の購入仕様で互換性を確認するために装置製造業者によって使用されるされる。
半導体プロセス技術は、より微細化の方向に長く続けよう。 静電気の許容可能なレベルは、微細化にも減少するであろう。限界に関する推奨値を規定する。半導体国際技術ロードマップ (ITRS)に含まれる形状サイズを参照。
この文書の適用範囲は,測定方法と下記に示す物体表面の帯電の最大推奨レベルに関するガイドに限定される。
- 製品、またはレチクル
- キャリア
- 装置とミニエンバイロメントのロードポート部の部品
この文書には,製品,レチクル,キャリア,製造装置またはミニエンバイロメントのロードポート部の静電気の最大推奨レベルの表が示されている。
- ESDによる製品,レチクル,装置の損傷を低減する。
- ESDイベントによる装置のロックアップ問題を軽減する。
- 帯電した表面への騒音を軽減する。
この文書は、 SEMI E43および静電気を測定するその他の方法を参照しています。
付属書1では,¶ 12.7の表1に示す帯の最大推奨レベルをする決定方法について説明し,SEMI E78のある基本となる方法,およびこのガイドとSEMI E129の推奨を統合させる更新情報の両方を含んでいる。
製品やレチクルの保護あるいはEMI制御について、ある領域のESDリスクの尺度は、発生するESDイベントの存在と性質によって定義される。
ゆったりの静電気吸引( ESA )を軽減することによる汚染管理について,ある領域の静電気のリスクは静電気電荷の存在とレベルによって定義される。
レチクルの損傷については,危険性はレチクル上の静電気の変化またはレチクルの周囲の電界強度によって定義される。
半導体製造は,ミニエンバイロメントや製造装置内で行われることが多くなっている。受け取られる際に置かれる。
静電気の数々の制御方法は、静電気を許容レベル以下に制御するために装置設計に組み込むことができる。このガイドは、基本的に装置製造業者が装置設計を行う際に使用される。
静電気の制御方法の有効性を示すための試験方法がいくつかあります(このガイドの§6 、§7 参照)。試験は、静電気測定分野の資格を取得した人により行われているものである。
半導体製造装置は異なった複数の装置によって供給されたモジュールを使用して組み立てられることが多くなっている。を使用する場合,エンドユーザにより同じ試験が完了したシステムに適用されることが推奨される。
装置設計に適用される静電気の制御方法は、半導体製造施設内の静電気に関連するすべての問題を解決するものではない。製造施設内で動き回る人も静電気の発生源となる。これらの施設の問題はSEMI E129で動いている。
参照されるSEMI規格SEMI E33 — 半導体製造施設の電磁両立性に関する仕様
SEMI E35 — 半導体製造装置の所有コスト (COO) 指標を計算するためのガイド
SEMI E43 — 物体および表面の静電荷を測定するためのガイド
SEMI E129 — 半導体製造施設における静電気の評価と制御に関するガイド
SEMI E163 — 特別に指定されたエリア内でのレチクルおよびその他の極めて静電気に敏感な (EES) アイテムの取り扱いに関するガイド
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