SEMI E45 - VPD-TXRF、VPD-AAS、または VPD/ICP-MS を使用した微小環境からの無機汚染の測定のための試験方法 -

Abstract

注意:この規格または安全ガイドラインは無効になっています 現在のステータスを維持するための条件が満たされていないため、ステータス。 非アクティブな規格または安全ガイドラインは SEMI から入手でき、引き続き使用できます。 使用が有効であること。

この試験方法は、次の分析手順を提供します。 微小環境からの無機汚染のレベルを決定します。

この文書は無機不純物に関するものです。 原子、分子、または粒子として発生するかどうかに関係なく、金属汚染物質が含まれます。 分析対象となる金属の数は、ナトリウム（Na）の 4 つの元素に限定されます。 迅速な特性評価のためのカルシウム (Ca)、鉄 (Fe)、および銅 (Cu) 実用的な観点から見たミニ環境。一方、Na、Ca、Fe ～に関して非常に有害な不純物の 1 つの集合体を表す 人的発生源 (Na)、環境 (Ca)、または機器からの汚染 腐食効果 (Fe) に加えて、Cu は重要性が高まっているため分析されます。 半導体製造。さらに、これらは次の方法で簡単に分析できます。 十分に低い検出限界。このテスト方法のユーザーは次のことを行う必要があります。 追加要素を定量化します。推奨される研磨ウェーハ表面金属のリスト 回路およびデバイスに不適切な汚染を表 1 に示します (ベース SEMI M1)。シリコンウェーハ表面の無機汚染物を回収 VPDによる。

Ca と Fe の定量には、VPD/TXRF が使用されます。 十分に低い検出限界。 Na と Cu は VPD/GFAAS または VPD/ICP-MS。すべての分析手法は、以下の特性評価に広く使用されています。 表面の清潔さ。

この測定技術は、 ミニ環境に対する特定のプロセスステップの影響。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様

SEMI C35 — 硝酸の仕様とガイド

SEMI E19 — 標準メカニカルインターフェースの仕様 (SMIF)

SEMI M1 — 研磨単結晶の仕様 シリコンウェーハ

改訂履歴

SEMI E45-1101 (再承認 0307)

SEMI E45-1101 (技術改訂)

SEMI E45-0301 (技術改訂)

SEMI E45-1000 (技術改訂)

SEMI E45-95 (初公開)

Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.