SEMI C102 - 半導体製造で使用される化学機械平坦化 (CMP) 研磨パッドの密度と空隙率を報告するためのガイド -

Abstract

この規格は、化学機械平坦化 (CMP) パッドの密度の一貫した測定と測定条件の報告のためのガイドを提供します。この規格では、CMP パッド密度の測定に液体または気体のピクノメータ計測など、追加の計測を使用することを推奨しています。この規格は、パッドの重量と形状の決定に基づく業界の伝統的な計測法 (「形状パラメータ」) を使用した密度パラメータの報告を中止することを推奨していません。

この規格は、CMP パッドの空隙率を一貫して測定し報告するためのガイドを提供します。この規格では、水銀やガスポロシメトリーなど、CMP パッドの多孔性の測定に追加の計測技術を使用することを推奨しています。この規格は、走査電子顕微鏡 (SEM) または光学計測に基づく業界の伝統的な細孔数計測を使用した気孔率パラメータの報告を中止することを推奨するものではありません。

この規格は、比重計タイプの計測法を使用した見掛け密度など、確立された代替計測法を使用した測定に関する業界標準への参照を提供します。この規格は、ナノインデンテーションやナノ動的機械分析 (DMA) など、パッド密度を間接的に評価するための計測技術への参照を提供します。

このガイドへの参照は、CMP サプライヤーから顧客への対応する合格証明書 (CoA) またはその他の品質文書で使用できます。このガイドを参照すると、新しい半導体計測技術の開発のためのロードマップを作成することができます。

参照SEMI規格（別途購入）

なし。

改訂履歴

SEMI C102-1022 (タイトル更新)
SEMI C102-0621 (初公開)

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