SEMI 3D2 - 3DS-IC アプリケーション用のガラスキャリアウェーハの仕様 -

Abstract

注意:この文書は軽微な編集を加えて再承認されました 変化します。

この仕様は、次のニーズに応えることを目的としています。 ガラス調達に必要なツールの提供による 3D 積層型 IC (3DS-IC) 産業 3DS-ICプロセスで使用されるキャリアウェーハ。

この仕様では、寸法、熱、および 使用するガラス出発材料のウェーハ調製特性 仮接着状態のキャリアウェーハとして。

この仕様書では、ガラスキャリアウェーハについて説明します。 公称直径は 200 mm と 300 mm、厚さは 700 μm ですが、 必要なウェーハの直径と厚さはプロセスや機能によって異なる場合があります 変化。このような変動については、 発注書または契約書に記載されています。

に適した測定方法 特性を決定するための仕様が示されています。

参照SEMI規格（別途購入）

SEMI 3D12 — 溝の平坦度と形状を測定するためのガイド 剛性ウェーハ

SEMI E119 — 縮小ピッチの機械仕様 300 mm ウェーハの工場間輸送用フロントオープンボックス

SEMI G90 — 300 mmウェハコインスタックタイプの仕様 テストおよび梱包プロセスに使用される輸送用コンテナ

SEMI M12 — シリアル英数字マーキングの仕様 ウェーハの表面

SEMI M31 — フロントオープニングの機械的特徴の仕様 300 mm ウェーハの輸送および出荷に使用される輸送ボックス

SEMI M35 — シリコン仕様開発ガイド 自動検査で検出されるウェーハ表面の特徴

SEMI M40 — 平面粗さ測定ガイド 研磨されたウェーハの表面

SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語

SEMI MF533 — 厚さおよび厚さの試験方法 シリコンウェーハのバリエーション

SEMI MF657 — 反りおよび総反りを測定するための試験方法 非接触スキャンによるシリコンウェーハの厚さの変動 (0914 撤回)

SEMI MF671 — 平面長さを測定するための試験方法 シリコンおよびその他の電子材料のウェーハ

SEMI MF928 — 円形のエッジ輪郭の試験方法 半導体ウェーハおよびリジッドディスク基板

SEMI MF1152 — シリコン上のノッチの寸法の試験方法 ウエハース

SEMI MF1390 — 反りおよび反りを測定するための試験方法 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハ

SEMI MF1451 — シリコン上のソリを測定するための試験方法 自動非接触スキャンによるウェーハ

SEMI MF1530 — 平坦度を測定するための試験方法、 自動非接触によるシリコンウェーハの厚さおよび総厚さの変化 走査

SEMI MF1617 — 表面ナトリウムを測定するための試験方法、 二次イオンによるシリコンおよびEPI基板上のアルミニウム、カリウム、鉄 質量分析法

SEMI MF2074 — シリコンとシリコンの直径を測定するためのガイド その他の半導体ウェーハ

SEMI T7 — 両面裏面マーキング仕様 2次元マトリックスコードシンボルを備えた研磨ウェーハ

改訂履歴

SEMI 3D2-0216 (再承認 0222)

SEMI 3D2-0216 (技術改訂)

SEMI 3D2-1113 (技術改訂)

SEMI 3D2-0113 (初公開)

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