
SEMI 3D1 - スルーシリコンビア(TSV)の幾何学的計測のための用語 -
Abstract
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本基準は、
3DS-IC Global Technical Committeeで技術的に承認されている。現版は2012年8月30日、 global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2012年9月にwww.semiviews.orgおよびwww .semi.orgで入手可能となる。
購入者と計測機器メーカや製造者間での効果的な情報伝達や宣伝を防止するために、明確で一般に認められる用語の定義が必要である。
TSV重要な計測に関する問題の理解と議論を行うための一貫した用語を規定することである。この文書の範囲は、
TSVを特性化する測定数値を規定するための用語の定義に限定される。この文書は、測定手順は記述されていないが、測定量を明確に、有益に、また義的に規定を行う。この文書は,幾何学的寸法に関連した計測や,
TSV問題を含むだ構造の製造および検査作業の定義や管理に重要な測定量に焦点を当てている。この文書は、シリコンの
TSVを対象とする。この文書は、
SEMI E89等で網羅しており、統計的な考察を議論することは行われていない。この文書は、その他の
SEMI文書、特にSEMI P35から構造や用語を参照している。![]() |
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3D00100 - SEMI 3D1 - スルーシリコンビア(TSV)の幾何学的計測のための用語
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