SEMI Standards

SEMI Standards are voluntary technical agreements for the semiconductor, flat panel display, micro-electromechanical systems, photovoltaic, and high-brightness LED industries.

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F04200 - SEMI F42 - Test Method for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag Immunity
SEMI F42 - Test Method for Semiconductor Processing Equipment Voltage Sag Immunity Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩290,000
PV01500 - SEMI PV15 - 太陽電池材料の表面ラフネスおよびテクスチャをモニタするための角度分解光散乱測定条件の定義に関するガイド
SEMI PV15 - 太陽電池材料の表面ラフネスおよびテクスチャをモニタするための角度分解光散乱測定条件の定義に関するガイド Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
S01700 - SEMI S17 - 無人搬運車（UTV）系統之安全基準
SEMI S17 - 無人搬運車（UTV）系統之安全基準 Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩290,000
S01300 - SEMI S13 - 製造装置と共に使用することが意図された装置ユーザへの提供文書のための環境，健康，安全ガイドライン
SEMI S13 - 製造装置と共に使用することが意図された装置ユーザへの提供文書のための環境，健康，安全ガイドライン Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
PV05400 - SEMI PV54 - 晶体硅太阳电池N型层接触用银浆技术规范
SEMI PV54 - 晶体硅太阳电池N型层接触用银浆技术规范 Sale priceMember Price: ₩113
Non-Member Price: ₩290,000
M05800 - SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル堆積システムとプロセス評価のためのテスト方法
SEMI M58 - DMAを基にしたパーティクル堆積システムとプロセス評価のためのテスト方法 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
M01700 - SEMI M17 - 一般的なウェーハグリッドのガイド
SEMI M17 - 一般的なウェーハグリッドのガイド Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
G04300 - SEMI G43 - プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗のための試験方法
SEMI G43 - プラスチックモールドパッケージのジャンクション部とケース間の熱抵抗のための試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
M05900 - SEMI M59 - シリコン技術の用語集
SEMI M59 - シリコン技術の用語集 Sale priceMember Price: ₩135
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M06600 - SEMI M66 - MISフラットバンド電圧―絶縁膜厚法を使った，酸化膜，およびhigh-κゲートスタックの有効仕事関数の算出方法
SEMI M66 - MISフラットバンド電圧―絶縁膜厚法を使った，酸化膜，およびhigh-κゲートスタックの有効仕事関数の算出方法 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
M07700 - SEMI M77 - ロールオフ量（ROA）を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M77 - ロールオフ量（ROA）を使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M07100 - SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）ウェーハのための仕様
SEMI M71 - CMOS LSI用シリコン・オン・インシュレーター（SOI）ウェーハのための仕様 Sale priceMember Price: ₩135
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M04200 - SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M42 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハの仕様 Sale priceMember Price: ₩135
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M06500 - SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様
SEMI M65 - 化合物半導体エピタキシャルウェーハに使用するサファイア基板の仕様 Sale priceMember Price: ₩135
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G05500 - SEMI G55 - リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法
SEMI G55 - リードフレーム銀めっき光沢度の測定方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M04000 - SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド
SEMI M40 - シリコンウェーハ表面のラフネス測定のガイド Sale priceMember Price: ₩135
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M06000 - SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法
SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
Non-Member Price: ₩347,000
M04600 - SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法
SEMI M46 - ECV法によりエピタキシァル層内のキャリア密度プロファイルを測定するための試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M06800 - SEMI M68 - 測定した高さデータ配列から曲率法ZDDを使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法
SEMI M68 - 測定した高さデータ配列から曲率法ZDDを使ってウェーハのエッジ近傍形状を決定するための作業方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M06400 - SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法
SEMI M64 - 赤外線吸収スペクトル法による絶縁（SI）ガリウムヒ素単結晶内のEL2深いドナー濃度の試験方法 Sale priceMember Price: ₩135
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M03500 - SEMI M35 - 自動検査により検出されるシリコンウェーハ表面特性の仕様を開発するためのガイド
SEMI M35 - 自動検査により検出されるシリコンウェーハ表面特性の仕様を開発するためのガイド Sale priceMember Price: ₩135
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M06100 - SEMI M61 - 埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの仕様
SEMI M61 - 埋め込み層付きシリコンエピタキシャルウェーハの仕様 Sale priceMember Price: ₩135
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M05400 - SEMI M54 - 半絶縁性（SI）GaAs材料のパラメータのガイド
SEMI M54 - 半絶縁性（SI）GaAs材料のパラメータのガイド Sale priceMember Price: ₩135
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M01600 - SEMI M16 - 多結晶シリコンの仕様
SEMI M16 - 多結晶シリコンの仕様 Sale priceMember Price: ₩135
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