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SEMI PV9 - 短時間光 パルス照射後のマイクロ波反射率の非接触測定による，PV시리콘材料の過剰Caria減衰(라이프타임)試験方法 -
Abstract
本standardは， global Photovoltaic Committee で技術的に承認されている。現版は2011年5月13日， global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2011年6月にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.org 에서 2010 년 10 월 발간.
半導体のフリーカリア密度がそれほど高くない場合,過剰カリアの減衰時間は(以降は減衰時間と記述する)は禁制帯ギーギ햅にそのエネルギーが位置する不純物により支配される.多くの金属不純物はシリコン中にそのような再結合中心を形成し，減衰時間を減少させ，ソーラーセルの効率に影響を与える。高効率セルの場合，所期の高性能デバイスを得るためには減衰特性を注意深く制御する必要がある。
この試験法は，各種の単結晶，多結晶ウェーハ，브릭크，およびIngottoの減衰時間を測定する手順を取り扱う。本試験法はmaicro波光導電減衰法(( m -PCD)に基づくもので，光励起後の導電率の減衰を光照射により発生した過剰캘리아노減衰時間で測定する.
참조된 SEMI 표준
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도성 유형에 대한 테스트 방법
SEMI MF43 - 반도체 재료의 비저항 테스트 방법
SEMI MF84 — 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF673 - 비접촉식 와전류 게이지로 반도체 슬라이스의 비저항 또는 반도체 필름의 시트 저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF723 - 붕소 도핑, 인 도핑 및 비소 도핑 실리콘에 대한 비저항과 도펀트 밀도 간 변환 실습
SEMI MF978 — 과도 커패시턴스 기술로 반도체 딥 레벨을 특성화하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝에 의한 실리콘 웨이퍼의 평탄도, 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF1535 — 마이크로파 반사율에 의한 광전도성 감소의 비접촉 측정에 의한 실리콘 웨이퍼의 캐리어 재결합 수명 테스트 방법
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