SEMI P25 - 焦点深度 および最適焦点深度（仕様） -

Abstract

알림: 이 번역본은 참조용 사본입니다. 영어 버전과 다른 언어로 된 번역본 사이에 차이가 있는 경우 영어 버전이 공식적이고 권위 있는 버전입니다.

免責事項： このSEMIstandadeは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡

반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

 

本stanダードは, Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので，North American Microlithography Committeeが直接責任を負うものである.現版は2004年8月16日 North American Regional Standards Committeeにて承認されている2004年9月にまずwww.semi.orgで入手可能になり，2004年11月
発行に至る.初版は1994年発行。

 

알림: 이 표준 또는 안전 지침은 현재 상태를 유지하기 위한 조건이 충족되지 않았기 때문에 비활성 상태입니다. 비활성 표준 또는 안전 지침은 SEMI에서 제공되며 계속해서 사용할 수 있습니다.

 

本書は半導体製造用 フォtrisografi装置，例えばス캐나，stepparー等［以下ここでは単に装置と呼ぶ］の焦点深度，非点収差および像面湾曲を測定 および記述する為に，半導体産業のフォトリソグラフィ関係者が用いる共通の記述用語および基本技術の概要を提供する.

 

本仕様は，半導体製造 およびその関連技術の分野で用いられるフォトリソグラフィのための，焦点位置および焦点深度の測定に限定れる.装置技術においてはいくつも異なるものがあるので，これらparameterの決定的な測定方法を提供する ことはできない.むしろ,本文では基本的なを示す.

　

참조된 SEMI 표준

SEMI P19 — 집적 회로 제조용 계측 패턴 셀

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