{"product_id":"mf067200-semi-mf672-guide-for-measuring-resistivity-profiles-perpendicular-to-the-surface-of-a-silicon-wafer-using-a-spreading-resistance-probe","title":"MF067200 - SEMI MF672 - 확산 저항 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼 표면에 수직인 비저항 프로파일 측정 가이드","description":"\u003cp\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e \u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e표면에 수직인 실리콘 웨이퍼의 저항 프로파일은 종종 웨이퍼의 필요하거나 유용한 특성입니다.\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e \u003c\/font\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e확산 저항 프로브를 사용한 저항률 프로파일 측정은 구성 요소 측정을 수행하기 위해 일반적으로 허용되는 여러 가지 옵션이 있는 복잡한 절차입니다. 이 가이드는 전자 구성, 시편 준비 유형 및 베벨 각도 측정 방법에 대한 모범 사례와 일치하는 다양한 선택 사항을 설명합니다. 이 가이드에서 지정하지 않은 항목은 일반적으로 일반적인 제한의 맥락에서 특정 선택 항목에서 테스트 당사자가 동의해야 합니다. 적절한 방법의 선택은 측정된 각도 범위뿐만 아니라 해당 방법에 사용할 수 있는 장비의 품질에 따라 달라지기 때문에 베벨 각도 측정은 특히 지정하기 어렵습니다. 이상적으로는 베벨 표면과 원래 표면이 직선을 따라 교차하는 두 평면이어야 하지만 실제 형상은 측정을 더욱 복잡하게 만드는 이 이상과 다를 수 있습니다. 이러한 점은 제한 사항 섹션과 부록 1 및 베벨 각도 측정에 대한 관련 참조에서 인식됩니다.\u003c\/font\u003e \u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e \u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e이 가이드는 SEMI MF525의 절차를 깊이 프로파일링으로 확장합니다.\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e \u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e이 가이드의 절차는 공정 관리, 연구 개발, 자재 승인 목적으로 사용될 수 있지만 자재 승인을 위한 사용 제한에 대해서는 ¶17.5를 참조하십시오.\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\n \u003cb\u003e참조된 SEMI 표준\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e\u003cp\u003e \u003cfont\u003eSEMI C28 — 불화수소산 사양 및 가이드\u003cbr\u003e SEMI C29 — 4.9% 불화수소산(10:1 v\/v) 사양 및 가이드\u003cbr\u003e SEMI C31 — 메탄올 사양\u003cbr\u003e SEMI M59 — 실리콘 기술 용어\u003cbr\u003e SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법\u003cbr\u003e SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도도 유형 테스트 방법\u003cbr\u003e SEMI MF84 - 인라인 4점 프로브로 실리콘 웨이퍼의 비저항을 측정하는 테스트 방법\u003c\/font\u003e \u003cbr\u003eSEMI MF374 — 단일 구성 절차로 인라인 4점 프로브를 사용하여 실리콘 에피택셜, 확산, 폴리실리콘 및 이온 주입 층의 시트 저항 테스트 방법\u003cbr\u003e SEMI MF525 — 확산 저항 프로브를 사용하여 실리콘 웨이퍼의 저항률을 측정하는 테스트 방법\u003cbr\u003e SEMI MF674 - 확산 저항 측정을 위한 실리콘 준비 실습\u003cbr\u003e SEMI MF723 - 붕소 도핑, 인 도핑 및 비소 도핑 실리콘에 대한 비저항과 도펀트 또는 캐리어 밀도 간 변환 실습\u003cbr\u003e SEMI MF1392 — 수은 프로브를 사용한 커패시턴스-전압 측정을 통해 실리콘 웨이퍼의 순 캐리어 밀도 프로파일을 결정하는 테스트 방법\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MF672-0412 (Reapproved 1023) - Current","offer_id":43106887991363,"sku":"17193","price":290000.0,"currency_code":"KRW","in_stock":true},{"title":"SEMI MF672-0412 (Reapproved 1018) - Superseded","offer_id":43106888024131,"sku":"4964","price":290000.0,"currency_code":"KRW","in_stock":true},{"title":"SEMI MF672-0412 - 대체됨","offer_id":40234297917507,"sku":"9980","price":290000.0,"currency_code":"KRW","in_stock":true},{"title":"SEMI MF672-0307 - 대체됨","offer_id":40234298048579,"sku":"9979","price":290000.0,"currency_code":"KRW","in_stock":true},{"title":"SEMI MF672-0706 - 대체됨","offer_id":40234298081347,"sku":"9981","price":290000.0,"currency_code":"KRW","in_stock":true},{"title":"SEMI MF672-01 - 대체됨","offer_id":40234297688131,"sku":"9978","price":290000.0,"currency_code":"KRW","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MFVolume_88315bdc-e8c8-462d-8d54-66415f57632b.png?v=1776702515","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ko-kr\/products\/mf067200-semi-mf672-guide-for-measuring-resistivity-profiles-perpendicular-to-the-surface-of-a-silicon-wafer-using-a-spreading-resistance-probe","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}