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SEMI M81 - 単結晶シリコンカーバイド基板に存在する欠陥についてのgaid -
Abstract
알림: 이 번역본은 참조용 사본입니다. 영어 버전과 다른 언어로 된 번역본 사이에 차이가 있는 경우 영어 버전이 공식적이고 권위 있는 버전입니다.
免責事項：このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます｡반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。
本版は2011年5月13日，Global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された2011年6月にwww.semiviews .orgおよび www.semi.org 에서 거래가 가능합니다.
本gaidの目的は, シリコンカーバイドウェーハに見られるさまざまな特性と欠陥を挙げて説明し，参考情報を提供する ことである有効なスタンダードが存在する場合は，それを参照し観察方法として推奨する。試験方法の考案を支援したり，SEMI M55の内容を補強する ことを意図して，本gaidに技術知見を記載する。
単結晶SiC基板が産業応用されることを想定して，主に写真，図，および，関連するデータを例示することによって，単結晶SiC基板で観察される欠陥を特定し説明を加える.
欠陥に関する用語をレビューし，必要に応じて適合させる.
本文書は, SiC基板上に成長するエピタキシャル層は対象としない.
참조된 SEMI 표준
SEMI M55 — 연마된 단결정 실리콘 카바이드 웨이퍼 사양
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