SEMI M76 - 開発用直径450 mm시리콘 単結晶鏡面 ウェーハの仕様 -

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Non-Member Price: ₩286,000

Volume(s): Materials
Language: Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
SEMI Standards Copyright Policy/License Agreements

개정: SEMI M76-0710 - 비활성

개정

Abstract

알림: 이 번역본은 참조용 사본입니다. 영어 버전과 다른 언어로 된 번역본 사이에 차이가 있는 경우 영어 버전이 공식적이고 권위 있는 버전입니다. 免責事項: このSEMIstandadeは,投票により作成された英語版が正式なものであり,日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。万が一英語と日本語とに差異がある場合には英語版記載内容が優先されます。

반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

 

本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회 で技術的に承認されている。現版は2010年4 月30日, global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2010 6 月にwww.semi.org で入手可能となる.

 

この仕様が適用 される開発用 ウェーハは,直径450 mm単結晶シリコンウェーハ上に高集積ICを生産するのに必要な製造proses,製造装置および評価装置の研究開発に使うことを意図している. 直径450 mm데바이스용(프라임) we-hana 形状仕様をサポートするのに必要な測定法や測定技術を築くためにも使える.

 

開発に必要とされる450mm単結晶シリコン鏡面weーhana 状と結晶方位をこの仕様は対象とする。本文書は,debais用weerhana状仕様およびテ쿠노로지 레베르니 가게는 나가이드라인니가이드라인니 대와라레루베키로ある。

 

完全な購入仕様には,それを測定する評価法to共に物理特性を追加する必要がある。もし測定装置がない場合には,合否条件は, サプライヤと顧客の間での合意が必要である.

 

いくつかのproses装置to유닛트prosesを開発するのに使うつかの仕様を装置me-ca他が決めるのを支援するgaidaンスがこの仕様には含まれている。

 

450mm웨하카리아,로드포트,자동차장치(AMHS)오비로봇트나도의 450mm半導体装置開発に使われる直径450mm메카니카르한드링우ェーハの仕様はSEMI M74 라고 하는 것입니다.

 

この仕様は,生産用 ウェーハ仕様としては意図していない。

 

参考のために,一般にmetrickto呼ばれるSI(시스템 인터내셔널 )単位を使われなければならない.

 

참조된 SEMI 표준

SEMI E45 — VPD/TXRF(Vapor Phase Decomposition-Total Reflection X-Ray Spectroscopy), VPD-Atomic Absorption Spectroscopy(VPD/AAS) 또는 Inductively Couples Plasma-Mass Spectroscopy를 사용하는 미니 환경에서 무기 오염 측정을 위한 테스트 방법( VPD/ICP-MS)


SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M12 — 웨이퍼 전면의 일련의 영숫자 마킹 사양
SEMI M13 — 실리콘 웨이퍼의 영숫자 마킹 사양
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M33 — 전반사 X선 형광 분광법(TXRF)에 의한 실리콘 웨이퍼의 잔류 표면 오염 측정을 위한 테스트 방법
SEMI M43 - 웨이퍼 나노토포그래피 보고 가이드
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI M67 — ESFQR, ESFQD 및 ESBIR 메트릭을 사용하여 측정된 두께 데이터 어레이에서 웨이퍼 니어 에지 형상 결정을 위한 실습
SEMI M68 — 곡률 측정법 ZDD를 사용하여 측정된 높이 데이터 배열에서 웨이퍼 근방 형상 결정을 위한 연습
SEMI M70 — 부분 웨이퍼 부위 편평도를 사용하여 웨이퍼에 가까운 가장자리 형상을 결정하기 위한 실습
SEMI M73 — 측정된 웨이퍼 에지 프로파일에서 관련 특성을 추출하기 위한 테스트 방법
SEMI M74 — 450mm 직경의 기계적 취급 광택 웨이퍼 사양
SEMI MF26 — 반도체 단결정의 배향 결정을 위한 테스트 방법
SEMI MF42 — 외부 반도체 재료의 전도성 유형에 대한 테스트 방법
SEMI MF81 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 비저항 변화를 측정하기 위한 테스트 방법
SEMI MF523 - 연마된 실리콘 웨이퍼 표면의 육안 검사 실습
SEMI MF533 — 실리콘 웨이퍼의 두께 및 두께 변화에 대한 테스트 방법
SEMI MF534 — 실리콘 웨이퍼의 휨에 대한 테스트 방법
SEMI MF673 — 비접촉식 와전류 게이지로 반도체 웨이퍼의 비저항 또는 반도체 필름의 시트 저항을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF951 — 실리콘 웨이퍼의 방사형 침입형 산소 변화 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1152 — 실리콘 웨이퍼의 노치 치수 테스트 방법
SEMI MF1188 - 짧은 기준선으로 적외선 흡수에 의한 실리콘의 격자간 원자 산소 함량에 대한 테스트 방법
SEMI MF1366 — 2차 이온 질량 분석법으로 고농도 도핑된 실리콘 기판의 산소 농도 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1389 — III-V 불순물에 대한 단결정 실리콘의 광발광 분석을 위한 테스트 방법
SEMI MF1390 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 휨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1451 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 소리를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1530 — 자동 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 두께 편차를 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1617 — 2차 이온 질량 분석법으로 실리콘 및 에피 기판의 표면 나트륨, 알루미늄 및 칼륨을 측정하는 테스트 방법
SEMI MF1619 — 브루스터 각도에서 p-편광 방사 입사를 사용한 적외선 흡수 분광법에 의한 실리콘 웨이퍼의 격자간 산소 함량 측정을 위한 테스트 방법
SEMI MF1809 - 실리콘의 구조적 결함을 묘사하기 위한 에칭 솔루션의 선택 및 사용 가이드
SEMI MF2074 — 실리콘 및 기타 반도체 웨이퍼의 직경 측정 가이드
SEMI T3 — 웨이퍼 박스 라벨 사양
SEMI T7 — 2차원 매트릭스 코드 기호가 있는 양면 연마 웨이퍼의 후면 마킹 사양
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