SEMI M67 - 測定した厚さデータ配列からESFQR,ESFQD,ESBIR METRICS法を使ってウェーハの엣지근접형상状を決定するため의 作業方法 -

Abstract

本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회 で技術的に承認されている。現版は2009年9 月4日， global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2009 年10 月にwww.semi.org で，そして2009年11月にCD-ROM で入手可能となる。 初版は2006年11月発行，前版は2008 年11 月に発行された。

ウェーハエッジ近傍形状は半導体素子工程の歩留に大きく影響する.

edge近傍の幾何学的特性情報は製造者や消費者がウェーハの寸法特性が与えられた幾何学的要求を満たしているかどうか決定することを手助けできる。

この作業法は半導体素子工程で使われるwe-hanaのedge近傍形状の平坦性状況を定量化するのに適している.

ESFQR ， ESFQD는ESBIR metric法はSFQR ， SFQD는SBIRのような従来法よりもedge近傍形状の平坦性状況を定量す化のに更に適しているESFQR ， ESFQD ， ESBIR は故意に除外された領域を除くウェーハエッジ上のすべての角度位置で充分にかつ矛盾なく엣지近傍形状を定量化する。一方, SFQR ， SFQD ，は異なる角度位置で異なった処理をし，多くの場合はウェーハエッジの全領域をカバーしていない。

edge近傍形状評価法は，材料購入仕様に使うよりむしろ，Prosesを管理するツールとして使うことに留意すべきである.

他にもedge近傍形状評価法があり, ZDD , ROA , PSFQR のような他の概念を定量化するものもある.

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어
SEMI M68 — 곡률 측정법 ZDD를 사용하여 측정된 높이 데이터 배열에서 웨이퍼 근방 형상 결정을 위한 연습
SEMI M69(예비) - Roll-Off Amount, ROA를 사용하여 Wafer Near-Edge 형상을 결정하기 위한 실습
SEMI M70 — 부분 웨이퍼 부위 편평도를 사용하여 웨이퍼에 가까운 가장자리 형상을 결정하기 위한 실습
SEMI MF1530 — 자동화된 비접촉 스캐닝으로 실리콘 웨이퍼의 편평도, 두께 및 전체 두께 변화를 측정하는 테스트 방법

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