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SEMI M60 - SiO2의 종시계를 위한 시리콘 웨하 웨어러블의 経時絶縁破壊特性の試験方法 -
Abstract
本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회 で技術的に承認されている。現版は2005年11 月29日，global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2006年2 月にwww.semi.org で，そして2006年3月にCD- ROMで入手可能となる。 初版は2005年1月発行，前版は2005 年3 月に発行された。
E本standared는 2006 년 5월 に編集上の修正がなされた입니다.
本standardは， GOI （ Gate Oxide Integrity ：ゲート酸化膜の完全性）評価をするにあたり，ウェーハ評価の固有事項・問題について記載してある。より般的な評価法全般については，§ 3 の参照standard 記載の手法に準ずる。 M51でのTZDBは，偶発性破壊mod(Bmod)와 摩耗破壊mod(Cmod)による不良率を評価するのに有効である法。本評価は， TZDB より高い感度で偶発性破壊modを検出するのに有効である.
참조된 SEMI 표준 SEMI C3.6 — 실린더의 포스핀(PH3) 표준, 99.98% 품질
SEMI C3.54 - 실란(SiH4)에 대한 가스 순도 지침
SEMI C21 — 수산화암모늄 사양 및 지침
SEMI C27 — 염산에 대한 사양 및 지침
SEMI C28 — 불화수소산에 대한 사양 및 지침
SEMI C30 — 과산화수소에 대한 사양 및 지침
SEMI C35 — 질산에 대한 사양 및 지침
SEMI C38 - 옥시염화인에 대한 지침
SEMI C41 — 2-프로판올에 대한 사양 및 지침
SEMI C44 — 황산에 대한 사양 및 지침
SEMI C54 — 산소 사양 및 지침
SEMI C59 — 질소 사양 및 지침
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M51 — 게이트 산화물 무결성으로 실리콘 웨이퍼를 특성화하기 위한 테스트 방법.
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어(Reapprpved2000)
SEMI MF1771 — 전압 램프 기법으로 게이트 산화물 무결성을 평가하기 위한 표준 테스트 방법
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