SEMI M54 - 半絶縁性(SI)GaAs계 파라메타 가이드 -

개정: SEMI M54-0304(0611 재승인) - 대체됨

개정

Abstract

本standared는 글로벌 복합 반도체 위원회 で技術的に承認されている。現版は2011年5月13日、global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。 2011年6月にwww.semiviews.orgおよびwww.semi.orgで入手可能となる.初版は2003年3月発行.前版は20043月発行。

 

注意: 本文書は,編集上の修正を伴い再承認された.

 

高性能な デジタル および ANALOGNO MICRO 電子 デバイスや回路を製 作する に は高い電気抵抗率 と 電子 DRIFT 移動度の基板が必要である半絶縁性n型のgariumヒ素(以降SI GaAsと記す)は,そのような用途に望ましい基板として世界中で認められてきた.

 

デバイスに必要な活性な層は,이온인프란테이션や에피타키시によって生成される。これらの層の品質およびそれによる데바이스の性能,歩留まり,信頼性は,基板のバルク品質および表面品質に強く依存している。

 

本文書では,sapraiyato와 購入者の間の発注に関する合意をsaポートするためにSI GaAs 의 材料parameteraを指定する ための基礎を提供する.

 

참조된 SEMI 표준

SEMI M9 — 연마된 단결정 갈륨 비소 슬라이스의 사양
SEMI M10 — 비화갈륨에서 볼 수 있는 구조 및 특징 식별을 위한 표준 명명법
SEMI M15 — 연마 갈륨 비소에 대한 연마 웨이퍼 결함 한계 표

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