SEMI M53 - パターンのない半導体ウェーハ表面上に証明済み手法で付着した単分散標準粒子を用いた走査型表面検査systemm較正の作業方法 -

Abstract

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반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

 

本standared는 실리콘 웨이퍼 글로벌 기술 위원회で技術的に承認されている。現版は2010年1月20日，global Audits and Reviews Subcommitteeにて発行が承認された。2010年2月にwww.semi. org로 入手可能となる.初版は2003年3月発行，前版は2009年11月に発行された。

　

この作業方法では，patanのない鏡面，에피타키샬，薄膜生成された半導體表面上に付着されたPSL(포리스치렌라텍스)粒子のsizeを走査型表面検査system（以下SSIS ）が正確に決定で きるように，SSISの暗視野検出器 チャンネルの較正について記述する.

　

本較正の目的は，製造者 およびmodelの異なるSSISが特定の局所光散乱體（LLS）に同じ光散乱強度の等価光散乱 (LSE)直径を割り当てることを，保証することである.

　

この作業方法は，材質同定，真の寸法，形態が未知の実表面欠陥を報告する手段として，SEMI M59に規定されたように，LSE直径の使用を義定する。

　

この作業方法では, SSISの性能を定量化する ための基礎を提供する ための基礎を提供する。また，SSIS性能定量化は，関連standardの中で例えば感度，再現性，キャプチャレート等に影響するパラメータとして関係している。

 

この作業方法では，次の事項を取り扱う。

　

標準粒子が付着される較正基準半導体ウェーハの表面およびその他の特性に対する要求条件(¶8.1参照).

　

標準粒子付着に適した標準粒子のsize分布要求条件も含め, SSISを較正するための標準粒子の適切で証明済み付着の選択。ただし，付着手法は含まれない(¶ 8.2参照).

　

応答曲線の変動があるが故に単調ではない，modelで予測した散乱 データを use用 した較正曲線の生成。

　

modelで予測した散乱データを使用した単調な較正曲線の生成.

　

これは，主としてSEMI M1で指定されている幾何学的特性を有する研磨シリコンウェーハ局所的光散乱體(LLS)の検出に使用されるSSISの較正に使用するために開発されたが，適切な基準ウェーハが採用 される말씀대로, 이것의 作業方法はパターンのない他の半導体表面のLLS 의 検出に用 されるSSISにも適用できる.

　

이 작업 방법은 LSE를 사용하여 PSL을 사용하지 않고 LLS의 크기를 결정하는 방법을 정의할 수 있는 방법을 정의할 수 있습니다(¶ 3.1 을 参照).

　

この作業方法は, SEMI M52に記載されている要求条件をさポートする.

　

付属書1では，限定された生産用途に使用できる싱글포인트較正について説明するが，SEMI M52に記載されている要求条件はsapotしていない。

　

付属書2ではPSLではない標準粒子の屈折率を決める方法について説明している.

　

참조된 SEMI 표준

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M12 — 웨이퍼 전면의 일련의 영숫자 마킹 사양

SEMI M20 — 웨이퍼 좌표계 설정 실습
SEMI M50 — 오버레이 방법으로 표면 스캐닝 검사 시스템의 캡처율 및 오계수율을 결정하는 테스트 방법
SEMI M52 — 130nm, 90nm, 65nm 및 45nm 기술 세대를 위한 실리콘 웨이퍼용 스캐닝 표면 검사 시스템 지정 가이드
SEMI M58 — DMA 기반 입자 증착 시스템 및 프로세스를 평가하기 위한 테스트 방법
SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

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