SEMI M52 - 130nm，90nm，65nm および45nm 技術世代 シリコンウェーハ用 走査型表面検査装置仕様のためのgaid -

Abstract

本standard는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회로 技術的に承認されている.現版は2006年11月21日 および2007 年1月18日， global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2007 2년 月にwww.semi.orgで，そして2007年3月にCD-ROM で入手可能となる。 初版は2002年11 月発行，前版は2006 年7 月に発行された。

 

本gaidは130 ， 90 ， 65 ， および45 nm技術世代における走査型表面検査装置（ Scanning Surface Inspection Systems (SSIS )）の推薦仕様を提供するものある.시리 콘상노오노오광원(국부적 광산란 자) LLS ））の数と大きさはシリコンウェーハの顧客によって指定され，検査証明書（ Certificates of Compliance ）に含まれる。시리콘웨하사프라이자프라이야その顧客は，これらのparameータを，異なるメーカーの測定시스템を使用するか，あるいは同じサプライヤでも異なる世代の測定異も異なる世代の測定界を使用して測定することがある。したがって，そのような測定systemの種々の状況を標準化することにより，データ交換やデータ解釈を容易にし，適切な測定시스템의 調達を可能とすることができる.

참조된 SEMI 표준

SEMI E1.9 — 300mm 웨이퍼를 운반하고 보관하는 데 사용되는 카세트의 기계적 사양
SEMI E5 — SEMI 장비 통신 표준 2 메시지 내용(SECS-II)
SEMI E10 — 장비 신뢰성, 가용성의 정의 및 측정을 위한 사양

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