SEMI M50 - 오버레이법에 による走査型表面検査system用捕獲率および偽計数率を決定するための試験方法 -

Abstract

本standared는 글로벌 실리콘 웨이퍼 위원회 で技術的に承認されている。現版は2010年1 月20日， global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2010 年2 月にwww.semi.org で入手可能となる.初版は2001年11月発行，前版は2009 年11 月に発行された.

SEMI M52는, 130nm에서 45nm까지의 최신 기술을 현대에 응용할 수 있는 走査型表面検査systeme(SSIS) に求められる捕獲率( CR ： Capture ratecaptcharate)에ついて規定する.

本試験方法は，局所的光散乱(LLSs)量を等価光散乱sizezに換算する機能を持った，走査型表面検査systemm（ SSIS ）の捕獲率（ CR ） ，偽計数率（ FCR ）および累積的偽計数率( CFCR )を決定する ことをカバーする.

참조된 SEMI 표준

SEMI E89 — 측정 시스템 분석(MSA) 가이드
SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양
SEMI M52 — 130nm, 90nm, 65nm 및 45nm 기술용 실리콘 웨이퍼용 스캐닝 표면 검사 시스템 지정 가이드

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