SEMI M23 - 鏡面単結晶인지움린웨하노사 -

개정: SEMI M23-0703 - 대체됨

개정

Abstract

참고: SEMI M23의 表示は, SEMI M23.6 が追加されたことにより, 0703 의 出版西クルで改訂されたものである.

本仕様は,半導体および電子デバイス製造に使用される単結晶高純度リング化Injiumweーハの基板に対する要求条件について述べている。寸法と結晶方位の特性のみが下記に標準化した特性として述べられている.

完全な購入仕様としては,更に物理的,電気的およびbarrk特性を規定する必要がある。 これらの特性はその大きさを決定する適切なtest方法ともに記載される.

하위 표준:

SEMI M23.1-0600 — 50mm 鏡面単結晶인지움린웨하노仕様

SEMI M23.2-1000 — 3 인치 (76.2mm) 鏡面単結晶燐化 インジウムウェーハンスタンダード

SEMI M23.3-0600 — 길이형 鏡面単結晶인지움린웨하노規格

SEMI M23.4-0999 — 전기 데바이스나라비에옵트전자공학용 100mm 전자전면전면 인지움린웨이하전(도브테일타이프)

SEMI M23.5-1000 — 전자 장치용 전자 장치용 100mm 전자 장치용 전자 장치

인지움린웨하仕様( V- GROOVEoption)

SEMI M23.6-0703 — 150mm 鏡面単結晶인지움린웨하(notchi付き)の仕様

참조된 SEMI 표준

SEMI M39 — 비절연 GaAs 단결정의 비저항 및 홀 계수 측정 및 홀 이동도 결정을 위한 테스트 방법

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