SEMI M20 - 웨하 창고 시스템의 작업 방식 -

Abstract

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반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 にあたって にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「す べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

先端debais製造に現在用いられているprosessystemはprosesno前にweーhaを回転させ, xy位置付けをするためのアライment機構を使用している。これらの多くは，we-ha周辺部を走査し，we-ハ表面の幾何学的中心を決めている。これは多種のアライナーを混用するファブにおいてウェーハ間直径바라트키の影響を最小化するために，스텝핑아라이라이나ーに最も多く見られることである.同様の中心基準のサブ시스템が多くの特性評価시스템に見られる。we-hana 座標시스템は，사이트，파탄，mataは맛핑配置の様な他の座標시스템がweーハ表面の物理位置を参照する方法を提供する.

 

もしアレイの点がウェーハのfront表面上にある場合には，唯一xおよびy （mataはr およびq ）座標が適切である。半導体材料およびデ바이스製造において，자동 프로세싱，테스트，mataは評価設備がwe ーハ上の位置の認識ないし位置決めをするためのウェーハ上の位置を，曖昧さを排除して記述することがますます重要になってきている。例えば，評価装置は，prosetsingの前あるいは後で発見される欠陥や異常部の有無とデバイス歩留maribaratkitoの関連付けのため、weーハ上に認められる欠陥や異常部の正確な位置を報告する必要がある。we-ha座標systemは，注目する各点の座標位置を確立するために，そして歩留mari解析座標Systemmへの変換により，ダイ歩留marimappに対応させるのに用いることが出来る。

 

これらの要望に応えるため，本方法はウェーハ表面上の点を正確に位置決めし，報告する ことを促進させるためのウェーハ座標systemmを定義している。各点がウェーハ表面上matataは下面に存在する場合には， z 座標もmatata使用されなければならない。 z 軸上のゼロ点はアプリケーションに特有なので，本方法はxyz (mataはr - q - z )系は表面座標시스템인가ら切り離して取り扱う.

 

本方法は，WeーHa上の何れの点をも，WeーHa中心を原点とし，데카르트座標（xy）mataは極（r-q）座標を用い，唯一の点に位置付ける웨하座標시스템を定義する手順を提供している。

パターンが描かれていないウェーハに対しては，このがが描かれては，このウェーハ座標Systemは直接に，matataは直角座標や極座標形式のオーバーレイアウトととともに使用することができる。

このウェーHA座標시스템は，さらに，原点を位置付けたり，他の座標시스템の基準点を位置付けたりするのに使用する ことができる。他の座標시스템は，파탄가描かれたWeーhamataは描かれていないウェーハの前面または裏面上に사이트，ダイ，mataはmapap アレイの位置データを定義したり報告したりするのに用いられる.なることができる。we-ha座標systemsのアプリケーションの選ばれたmodeが関連情報1に情報としてのみ記載されている.

本方法は，またはーハに対し三次元xyz （mataはr- q -z ）座標시스템を定義する手順を提供している。

참조 SEMI 표준 (별도 구매)

SEMI E5 — SEMI 장비 통신 표준 2 메시지 내용(SECS-II) 사양

SEMI M1 — 연마된 단결정 실리콘 웨이퍼 사양

SEMI M12 — 웨이퍼 전면의 일련의 영숫자 마킹 사양

SEMI M13 — 실리콘 웨이퍼의 영숫자 마킹 사양

SEMI M17 — 범용 웨이퍼 그리드 가이드

SEMI M59 — 실리콘 기술 용어

개정 내역

SEMI M20-1110(기술 개정)

SEMI M20-1104(기술 개정)

SEMI M20-0704(기술 개정)

SEMI M20-0998(기술 개정)

SEMI M20-92(기술 개정판)

SEMI M20-91(초판)

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