SEMI M14 - 半絶縁garium히 素単結晶のための ion注入及び활성화프로세스(仕様) -

Abstract

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반 スタンダード スタンダード 日本語 スタンダード 版 を ご ご 利用 利用 にあたって の の 注釈 を 本文 本文 の 末尾 に 記載 記載 し て おり ます ます ます ます 「 「べき べき である である」 「し なければなら ない」について 等。。。。。

 

本書の目的は，半絶縁GaAsの異なるrott間において有意義な比較ができるように，이온注入，활성화及び生成レイヤーの測定のためのprosesを与えることである.このtestは成果が標準的方法によって表されるように，サプライヤによって実施されることになろう。

 

候補lottは，標準ASTM評価技術を使用して，抵抗率，移動度及び温度安定性に対する SEMI GaAs 仕様を満足しなければならない。

 

表面の準備：残留酸化物を取り除くように表面処理を計画しなければならない.

 

注入角度を持ったエネルギーの種類及び注入量： 2×1012/cm2の注入量を持つSi ₂₉ を使用した150KeVのエネルギー。＜ 100 ＞から＜ 110 ＞の方向へ11 ～ 13° の傾き。

 

表面の準備：活性化の前には化学的処理を実施してはならない.

 

活性化：sanplは，注入表面に直接接触している2次近接ウェーハとともに850°Cの温度に10分間されなければらない近。接ウェーハはイOn注入を受けていないこと以外は，当該weーハと同一でなければならない.炉の雰囲気は窒素又はアルゴンのようなgasでなければならない.

 

活性化されたサンプルの評価は，標準ASTM技術に従って規定されているCV 輪郭，移動度及び抵抗率に基づかなければならない。

　

참조된 SEMI 표준

없음.

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