{"product_id":"pv00900-semi-pv9-test-method-for-excess-charge-carrier-decay-in-pv-silicon-materials-by-non-contact-measurements-of-microwave-reflectance-after-a-short-illumination-pulse","title":"PV00900 - SEMI PV9 - 短い照射パルス後のマイクロ波反射率の非接触測定による、PV シリコン材料における過剰な電荷キャリア減衰の試験方法","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの規格は、太陽光発電 - 材料グローバル技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2015 年 12 月 4 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2015 年 12 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能です。初版は 2010 年 10 月に出版されました。以前は 2011 年 6 月に出版されました。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e半導体の自由キャリア密度が高すぎない場合、過剰な電荷キャリアの減衰時間 (つまり、「減衰時間」) は、禁制エネルギーギャップ内に位置するエネルギーを持つ不純物中心によって制御されます。多くの金属不純物はシリコン内にこのような再結合中心を形成し、減衰時間を短縮することで太陽電池の効率に影響を与えます。高効率セルの場合、望ましい高性能デバイスを得るために減衰特性を注意深く制御する必要があります。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法では、さまざまな種類の単結晶および多結晶シリコン ウェーハ、レンガ、インゴットの減衰時間を測定する手順を説明します。この手順は、光励起後のコンダクタンスの減衰が光生成された過剰キャリアの減衰時間によって決定されるマイクロ波光コンダクタンス減衰 (μ-PCD) 法に基づいています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、 \u003ci\u003en\u003c\/i\u003e型または\u003ci\u003ep\u003c\/i\u003e型の単結晶\u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003eまたは多結晶シリコン材料におけるキャリア再結合プロセスに適した過剰キャリア減衰の測定を対象としています。試料の室温抵抗率は、検出システムの感度によって決定される限界より大きくなければならず、通常は 0.05 ～ 10 Ω・cm の範囲にあります。この\u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003e試験方法は、導電率検出システムの感度が適切であれば、レンガ、インゴット、またはカット、ラップ、エッチング、または研磨したウェーハの過剰キャリア減衰の測定に適用できます。\u003c\/font\u003e\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"left\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cb\u003e参照されるSEMI規格\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e\u003cp\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003cbr\u003eSEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法 \u003cbr\u003eSEMI MF533 — シリコンウェーハの厚さと厚さのばらつきの試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF673 — 非接触渦電流ゲージを使用して半導体スライスの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF723 — ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパント濃度間の変換の実践\u003cbr\u003eSEMI MF978 — 過渡容量技術による半導体の深いレベルの特性評価のためのテスト方法\u003cbr\u003eSEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、厚さのばらつきの試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF1535 — マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI PV9-0611 (再承認 1215) - 現在","offer_id":40234328916035,"sku":"5347","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI PV9-0611 - 置き換えられました","offer_id":40234328981571,"sku":"12793","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI PV9-1110 - 置き換えられました","offer_id":40234329047107,"sku":"12795","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/PVVolume_c3fa9da5-f2db-4e26-98e6-a5b78e52e2b2.png?v=1776702403","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/pv00900-semi-pv9-test-method-for-excess-charge-carrier-decay-in-pv-silicon-materials-by-non-contact-measurements-of-microwave-reflectance-after-a-short-illumination-pulse","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}