SEMI PV1 - 高分解能グロー放電質量分析を用いたシリコン太陽電池用シリコン原料中の微量元素測定に関する試験方法 -

Abstract

本基準は、global Photovoltaic Committee で技術的に承認されている。現版は2010年12月21日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 www.semi.orgで入手可能となりました。初版は2009年3月発行、前版は2009年7月発行。

このテスト方法はバルクシリコン原料中の微量不純物元素、特にシリコン太陽電池の性能に影響を与えるものを考慮して置くことができる。

1. 太陽電池ウェーハの目標バルク抵抗率に影響を考慮または偶然に添加されたドーパント濃度
2. 太陽電池ウェーハの少数キャリアライフタイムを劣化させる金属（例：鉄）やその他の不純物の濃度

この試験方法は単結晶または多結晶シリコンウェーハの製造に用いられるシリコン原料の品質検査や製品認定に置くことができる。

このテスト方法はシリコン原料，単結晶または多結晶シリコン等のシリコンの製造プロセスや製品の研究と開発に置くことができる。

このテスト方法は単結晶または多結晶シリコン太陽電池の不良または性能劣化の評価に置くことができる。

このテスト方法は購入、販売、または内部管理用に研究や開発支援、製品品質のモニターや認定する際の世界中の分析測定施設共通のプロトコルと測定データを提供するために使えることができます。

日常の測定における大部分の元素の検出限界は100 µg/kg （ 1-100 ppbwt ）である。

SEMI MF28 — 光伝導減衰の測定によるバルクゲルマニウムおよびシリコンの少数キャリア寿命の試験方法
SEMI MF43 — 半導体材料の抵抗率の試験方法
SEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法
SEMI MF391 — 定常状態の表面光起電力による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法
SEMI MF397 — 二点プローブを使用したシリコンバーの抵抗率の試験方法
SEMI MF525 — 広がり抵抗プローブを使用したシリコンウェーハの抵抗率測定の試験方法
SEMI MF673 — 非接触渦電流計を使用して半導体ウェハの抵抗率または半導体膜のシート抵抗を測定するための試験方法
SEMI MF1389 — III-V 族不純物に対する単結晶シリコンのフォトルミネッセンス分析の試験方法
SEMI MF1535 — マイクロ波反射率による光伝導減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1630 — 単結晶シリコンの III-V 族不純物に対する低温 FT-IR 分析の試験方法
SEMI MF1724 — 酸抽出原子吸光分光法による多結晶シリコンの表面金属汚染を測定するための試験方法

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