SEMI P25 - 焦点深度および最適焦点深度（仕様） -

Abstract

注意: この翻訳は参考コピーのみです。英語版と他の言語の翻訳との間に差異がある場合、英語版が正式かつ正式なバージョンとなります。

免責事項： このSEMIスタンダードは，投票により作成された英語版が正式なものであり，日本語版は日本の利用者各位の便宜のために作成したものです。ある場合には英語版記載内容が優先されます。

SEMIスタンダード日本語翻訳版をご利用いただく際の注釈を本文の末尾に記載しております（「すべきである」「しなければならない」について等）。

本基準は、Global Micropatterning Committeeで技術的に承認されたもので、North American Microlithography Committeeが直接責任を負うものである。現版は2004年8月16日North American Regional Standards Committeeにて承認されている。 2004年9月にまずwww.semi.orgで入手可能となりました，2004年11月
発行に至る。初版は1994年発行。

注意: 現在のステータスを維持するための条件が満たされていないため、この規格または安全ガイドラインは非アクティブなステータスになっています。非アクティブな規格または安全ガイドラインは SEMI から入手でき、引き続き使用できます。

本書は半導体製造用フォトリソグラフィ装置，例えばスキャナー，ッパー等［以下ここでは黙示装置と呼ぶ］の焦点ステ深度，非点収差および像面湾曲を測定および適切為に，半導体産業のフォトリソグラフィ関係者が設置共通の記述用語および基本技術の概要を提供する。

本仕様は，半導体製造およびその関連技術の分野で用いられるフォトリソグラフィのための，焦点位置および焦点深度の測定に限定される。な測定方法を提供することはできない。

SEMI P19 — 集積回路製造用の計測パターンセル

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