{"product_id":"p01400-semi-p14-determination-of-tin-in-positive-photoresists-by-graphite-furnace-atomic-absorption-spectroscopy","title":"P01400 - SEMI P14 - グラファイト炉原子吸光分光法によるポジ型フォトレジスト中のスズの測定","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e注意: 現在のステータスを維持するための条件が満たされていないため、この規格または安全ガイドラインは非アクティブなステータスになっています。非アクティブな規格または安全ガイドラインは SEMI から入手でき、引き続き使用できます。\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003e \u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Microsoft Sans Serif\"\u003eこの手順は、フォトレジスト中のスズのグラファイト炉原子吸光分析法です。適用濃度範囲は、サンプルを1〜10倍に希釈した場合、0.1〜1ppmです。 4 つの研究室間のラウンドロビン分析では、精度は 0.1 ppm 以内であることがわかりました。\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"left\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cb\u003e参照されるSEMI規格\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e\u003cp\u003e\u003cfont\u003eなし。\u003cbr\u003e\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI P14-0997 - 非アクティブ","offer_id":40234359914563,"sku":"11297","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/PVolume_a6180729-fa9c-4e80-870a-f4aa6d058f14.png?v=1776701984","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/p01400-semi-p14-determination-of-tin-in-positive-photoresists-by-graphite-furnace-atomic-absorption-spectroscopy","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}