{"product_id":"ms01300-semi-ms13-guide-for-use-of-test-patterns-for-characterizing-a-deep-reactive-ion-etching-drie-process","title":"MS01300 - SEMI MS13 - ディープ反応性イオン エッチング (DRIE) プロセスの特性評価のためのテスト パターンの使用に関するガイド","description":"\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eディープ反応性イオンエッチング (DRIE) は MEMS で広く使用されています\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e高アスペクト比の異方性フィーチャを作成するための製造プロセス。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eさらに、エッチングのパフォーマンスはオープンエリア (OA) に依存します。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eエッチングプロセスの対象となる領域の量は、1% から 60% までの範囲になります。それ\u003c\/span\u003e \n幾何学的なパターンのローディング効果、エッチングの深さにも依存します。\nエッチングする材料とその準備。最適なパラメータ値\n選択されるものは、MEMS デバイスの種類とアプリケーションに応じて大きく異なります。の\nさらに、各ツールの種類 (多くの場合、各プロセス チャンバー) には固有のレシピがあります。\n各材料（通常はシリコンまたは\n二酸化ケイ素）とパターン。これらの設定には、ガス流量、持続時間、\n温度プロファイルなど。チャンバーの環境条件も影響を及ぼします。\nエッチングのパフォーマンスにおける役割は通常、設計者には事前に知られていません。\n鋳物工場にデザインを持ち込みます。これらの変数は、多大なコストの発生につながります。\nプロセスは特定の仕様に合わせて調整する必要があるため、設計者とファウンドリの両方が担当します。\n生産を開始する前にパターンと素材の組み合わせを決定します。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの文書では、一連のエッチング テスト構造について説明します。\u003c\/span\u003e \nDRIE プロセス ツールのパフォーマンスを特徴づけます。 \u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e \u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e参照SEMI規格\u003c\/b\u003e（別途購入）\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI 3D5 — で使用される計測技術のガイド\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e3DS-IC のシリコン貫通ビア (TSV) の幾何学的パラメータの測定\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e構造物\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e \u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e改訂履歴\u003c\/b\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MS13-0221 (初公開)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MS13-0221 - 現在","offer_id":40234374299715,"sku":"14408","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MSVolume_a81feebb-16ad-4de7-a0a3-b32872919667.png?v=1776701732","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/ms01300-semi-ms13-guide-for-use-of-test-patterns-for-characterizing-a-deep-reactive-ion-etching-drie-process","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}