{"product_id":"mf163000-semi-mf1630-test-method-for-low-temperature-ft-ir-analysis-of-single-crystal-silicon-for-iii-v-impurities","title":"MF163000 - SEMI MF1630 - III-V 族不純物に対する単結晶シリコンの低温 FT-IR 分析のテスト方法","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。 ASTM International によって当初 ASTM F1630 として発行されました。以前は 2012 年 9 月に出版されました。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e電子グレードのポリシリコンの製造者とユーザーは、品質保証と研究目的でポリシリコンを評価するために低温フーリエ変換赤外 (LTFT-IR) 分光法を利用しています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e LTFT-IR 分光法は、ホウ素、リン、アルミニウム、ヒ素、インジウム、アンチモン、ガリウムを識別および定量します。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e LTFT-IR 分光法は、セクション 2.2 で指定される濃度制限まで、FZ、CZ、またはその他の単結晶シリコン (ドープまたは非ドープのいずれか) に適用できます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eSEMI MF1391 に従って、低温でのシリコン中の炭素の測定を同時に行うことができます。 2 フォノン帯域の透過率が 2 倍に増加するため、15 K 未満の炭素は室温で測定できるよりも低い濃度で測定でき、検出器のスループットが向上し、信号対雑音比が向上します。また、炭素吸着バンド\u003cfont face=\"Symbol\"\u003eは\u003cfont face=\"Symbol\"\u003e、これらの低温では、5 ～ 6 cm -1 の半値全幅 (FWHM) から 2.5 ～ 3.0 cm -1 の FWHM まで狭くなります。\u003c\/font\u003e\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、単結晶シリコン中の電気的に活性なホウ素、リン、ヒ素、アルミニウム、アンチモン、ガリウムの濃度の測定を対象としています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、電気的に活性な各要素の不純物\/ドーパント濃度が 0.01 ～ 5 ppba であるシリコンに使用できます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e各不純物\/ドーパントの濃度は、ベールの法則を適用することで求めることができます。校正係数は要素ごとに与えられます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"left\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cb\u003e参照されるSEMI規格\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e\u003cp\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003cbr\u003eSEMI MF723 — ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパント濃度間の変換の実践\u003cbr\u003eSEMI MF1391 — 赤外線吸収によるシリコンの置換原子炭素含有量の試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF1723 — フロートゾーン結晶成長と分光法による多結晶シリコンロッドの評価の実践\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MF1630-1107 (Reapproved 1123) - Current","offer_id":43106888974403,"sku":"17268","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1630-1107 (Reapproved 0718) - Superseded","offer_id":43106889007171,"sku":"4940","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1630-1107 (再承認 0912) - 置き換えられました","offer_id":40234291560515,"sku":"9883","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1630-1107 - 置き換えられました","offer_id":40234291658819,"sku":"9882","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1630-0704 - 置き換えられました","offer_id":40234291724355,"sku":"9881","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1630-00 - 置き換えられました","offer_id":40234291757123,"sku":"9880","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MFVolume_55c7cd82-617c-457a-bc17-0c58ef0abb84.png?v=1776702537","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/mf163000-semi-mf1630-test-method-for-low-temperature-ft-ir-analysis-of-single-crystal-silicon-for-iii-v-impurities","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}