{"product_id":"mf161800-semi-mf1618-practice-for-determination-of-uniformity-of-thin-films-on-silicon-wafers","title":"MF161800 - SEMI MF1618 - シリコンウェーハ上の薄膜の均一性測定の実践","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e注意: この文書は軽微な編集を加えて再承認されました\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e変化します。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践の目的は、以下の共通性を促進することです。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e生成または生成を必要とするすべての当事者間の均一性の分析へのアプローチ\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e基本的なテストのメーカーを含むそのような情報を評価する\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e使用する計器類。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践は、プロセス制御、研究、および\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e開発、プロセス装置の評価目的。対象となるのは、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e半導体デバイスと装置のメーカーにとっても同様の利益が得られます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e薄膜データの取得、削減、通信は、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e結果の解釈について同意する必要があるさまざまな関係者\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e薄膜製造プロセスのステップ。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践では、一連のサイト配布パターンについて説明します。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eシリコンウェーハ上の薄膜の特性の均一性を測定するため、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eならびにそれらの結果を分析および報告するための簡単な手順\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの演習は、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e厚さや厚さなどの固有のフィルム特性の均一性の評価\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e組成、およびシート抵抗などのフィルムの機能特性\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eそして反射率。結果として得られる情報は、均一性を評価するために使用できます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eフィルム自体または層形成プロセスの。この実践はそうではありません\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eウェハごとまたはロットごとのばらつきの評価に直接適用できます。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこのプラクティスは、あらゆる薄膜やフィルムでの使用を目的としています。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e層の種類、または形成技術、基本的な測定機器\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e対象となるフィルムパラメータに適した機能が存在します。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実習は、次のような層の成長および堆積技術を対象としています。\u003c\/span\u003e \nエピタキシー、注入、熱および化学蒸着 (CVD) 酸化、\nメタライゼーション、およびさまざまな手段などの層の改質に使用されます。\nレイヤーエッチング。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践は、すべてのシリコンウェーハでの使用を目的としています。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e膜物性の均一性を測定する際のサイズと種類、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e特徴。この実践では、測定サイトのパターンと\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eウェーハ上のそれらの空間座標の決定、および\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定データを削減して決定するときに使用される統計\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e均一。各サンプリング計画の正確な測定数\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eサイトは、使用されるウェーハのサイズ、必要な空間に基づいて選択されます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定器の分解能、および最大かある程度か\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eより低い情報密度が望ましい。ただし、そのようなすべての選択において、\u003c\/span\u003e \n測定サイトのパターン、その座標を選択するためのルール\n結果の統計的計算は一貫性を保つ必要があります。\nこの実践の手順に従ってください。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践はあらゆる測定方法で使用できます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e必要なフィルム特性を測定できる手順または機器、または\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eを明らかにするのに十分な精度と空間分解能を備えた特性\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eフィルムの空間的不均一性に関する情報が必要でした。この実践では、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eそれ自体には、特定の測定の実行に関する詳細が含まれています。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eすべてのタイプの測定を使用する必要があるわけではありません。\u003c\/span\u003e \n薄膜の均一性の評価には正式な手順基準があります。\n SEMI MF374、SEMI MF576、SEMI MF1392、SEMI MF1393、および SEMI MF1529 に詳細が記載されています\n均一性の評価に適用できる測定手順の例\n薄膜の特性。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践では、次の情報の取得や分析は扱いません。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e均一性データごとに複数の測定を行う必要がある場合\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eウェーハサイトの平坦性のために一般的に行われるような指定された空間セル\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践では、以下に関する推奨事項はありません。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e取得したデータの分析から得られる統計の解釈\u003c\/span\u003e \n検定統計量の与えられた値の良し悪しに関して、\nまた、プロセスサイクルや\n測定された薄膜を製造するために使用された装置。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの実践の原則は、次のことを決定するために適用される場合があります。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e格子間酸素などのバルクシリコンウェーハ特性の均一性\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e含有量と抵抗率は、所望の特性と選択したものによって異なります。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定技術により、深さ依存の変動は次のように誤解される可能性があります。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e横方向のバリエーション。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e参照SEMI規格\u003c\/b\u003e（別途購入）\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M1 — 研磨単結晶シリコンの仕様\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eウエハース\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M20 — ウェーハ座標を確立するための実践\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eシステム\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF81 — ラジアル抵抗率を測定するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eシリコンウェーハのバリエーション\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF374 — シリコンのシート抵抗の試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eインラインを使用したエピタキシャル層、拡散層、ポリシリコン層、およびイオン注入層\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e単一構成手順による 4 点プローブ\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF576 — 絶縁体測定の試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eエリプソメトリーによるシリコン基板の厚さと屈折率\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1392 — ネットキャリアを決定するためのテスト方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e静電容量電圧測定によるシリコンウェーハの密度プロファイル\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e水銀探査機\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1393 (撤回 0705) — 決定のための試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eミラーフィードバックプロファイラー測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e水銀探査機を使って\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1529 — シート抵抗の均一性の試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eデュアル構成手順によるインライン 4 点プローブによる評価\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e改訂履歴\u003c\/b\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1618-1110 (再承認 0322)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1618-1110 (再承認 1115)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1618-1110 (技術改訂)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1618-1104 (技術改訂)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1618-02 (SEMI の初出版物)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MF1618-1110 (再承認 0322) - 現在","offer_id":40234300407875,"sku":"14950","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1618-1110 (再承認 1115) - 置き換えられました","offer_id":40234300473411,"sku":"4938","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1618-1110 - 置き換えられました","offer_id":40234300506179,"sku":"9875","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI 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