{"product_id":"mf153500-semi-mf1535-test-method-for-carrier-recombination-lifetime-in-electronic-grade-silicon-wafers-by-noncontact-measurement-of-photoconductivity-decay-by-microwave-reflectance","title":"MF153500 - SEMI MF1535 - マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定による電子グレードのシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e電子グレードの自由キャリア密度の場合\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e半導体が高すぎないため、キャリアの再結合寿命が制御されます\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e禁止されたエネルギーギャップに位置するエネルギーを持つ不純物中心によって。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e多くの金属不純物はシリコン内にそのような再結合中心を形成します。ほとんどの場合\u003c\/span\u003e \n場合によっては、これらの不純物の密度が非常に小さい ( \u003cspan style=\"font-size:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;10.0pt;line-height:107%;font-family:Symbol;mso-ascii-font-family:Arial;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;mso-hansi-font-family:Arial;mso-bidi-font-family:Arial;mso-char-type:symbol;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;mso-symbol-font-family:Symbol\"\u003e\u003cspan style=\"mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;Symbol\"\u003e»\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e1010 原子\/cm3) ため、キャリアが減少します。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e再結合の寿命が長くなり、デバイスや回路の性能に悪影響を及ぼします。そのような\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e製造中またはさまざまな作業中に不純物がウェーハに混入する可能性があります。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e処理ステップ、特に高温を伴うステップ。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e場合によっては、非常に高速なバイポーラ スイッチング デバイスなど\u003c\/span\u003e \nおよび高出力デバイスでは、再結合特性に注意する必要があります。\n必要なデバイスのパフォーマンスが得られるように制御されますが、ほとんどの場合、\n現在使用されている電子グレードのシリコンウェーハの懸念は単純に\nそのような不純物が存在しないようにプロセスを制御します。これですが\n試験方法は一般に非選択的ですが、特定の不純物種が検出される場合があります。\n非常に限られた条件下で識別することができます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法は研究や研究での使用に適しています。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e開発、プロセス制御、および材料受け入れアプリケーション。しかし、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこのテスト方法で得られた結果は、多くの実験結果に依存します。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e表面不動態化の程度、注入レベルなどの条件\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e前方へ。したがって、この試験方法が材料仕様に使用される場合、または\u003c\/span\u003e \n受諾するには、サプライヤーと購入者は実験的なものについて完全に同意する必要があります。\n使用した条件。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法では、ウェーハの導電率の減衰が\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e光パルスによる過剰キャリアのその後の生成は次のように決定されます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eウェーハのマイクロ波反射率を監視します。連絡が一切ないので、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e試験片が置かれている取り付けステージを除く、この試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e非破壊的です。ウェハとステージの清浄度が維持されている場合、ウェハが損傷する可能性があります。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこのテスト方法によるテスト後にさらに処理されます。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eキャリア再結合寿命の測定\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e表面再結合が存在しないため、バルクが決定されます。\u003c\/span\u003e \n再結合寿命 ( \u003cspan style=\"font-size:10.0pt;line-height:107%;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;font-family:Symbol;mso-ascii-font-family:Arial;mso-hansi-font-family:Arial;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;mso-bidi-font-family:Arial;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol\"\u003e\u003cspan style=\"mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol\"\u003et\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eb)\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eただし、過剰キャリア密度が多数キャリアよりもはるかに小さい場合\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e密度。この決定はテストの主要部分には含まれません。\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e方法ですが、次のユーザー向けに関連情報 1 に情報が記載されています。\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e表面再結合の低減を含めるように拡張したいと思うかもしれません。\u003c\/span\u003e \n\u003cspan style=\"font-size:10.0pt;line-height:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;107%;font-family:Symbol;mso-ascii-font-family:Arial;mso-hansi-font-family:Arial;\u0026lt;!--nl--\u0026gt;mso-bidi-font-family:Arial;mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol\"\u003e\u003cspan style=\"mso-char-type:symbol;mso-symbol-font-family:Symbol\"\u003et\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eb\u003c\/span\u003eの決定を可能にする\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e低い過剰キャリア密度レベル。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eしかし、一般的には完全に解決することは非常に困難です。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e表面再結合を抑制し、寿命測定が可能な場合が多い\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e表面不動態化を行わずに、または表面が保護されていることを確認せずに行われた場合\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eパッシベーションは完璧です。したがって、2 つのパラメーター、1\/e 寿命 (τe)\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eおよび\/または表面に依存しない一次モード寿命 (τ1)\u003c\/span\u003e \nパッシベーションは、このテスト方法で決定されます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eさらに、初期噴射レベルも影響を与えます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定された寿命値。初期注入レベルが十分に低い場合、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定された寿命は注入レベルの影響を受けません。ただし、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e信号対ノイズ (S\/N) 比を向上させるには、より高いレベルの注入が必要になることがよくあります。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e採用されました。したがって、この試験方法ではこれらの測定も可能です。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e注入レベルが測定された寿命に影響を与える可能性がある場合のパラメータ\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e特に腐敗の初期段階では。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e参照SEMI規格\u003c\/b\u003e（別途購入）\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M1 — 研磨単結晶シリコンの仕様\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eウエハース\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF28 — 少数キャリア寿命の試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e光伝導減衰の測定によるバルクゲルマニウムとシリコン\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF42 — 外部物質の導電率タイプの試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e半導体材料\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF84 — 抵抗率を測定するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eインライン 4 点プローブ付きシリコンウェーハ\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF391 — 少数キャリア拡散の試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e定常状態表面の測定による固有半導体の長さ\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e光電圧\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF533 — 厚さおよび厚さの試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eシリコンウェーハのバリエーション\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF673 — 抵抗率を測定するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e半導体ウェハまたは半導体膜のシート抵抗\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e非接触渦電流計\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF723 — 抵抗率間の変換の練習\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンのドーパント濃度\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF978 — 半導体を特性評価するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e過渡容量技術による深いレベル\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1388 — 発電寿命と発電量の試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e静電容量時間測定によるシリコン材料の速度\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e金属酸化シリコン (MOS) コンデンサ\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1530 — 平坦度、厚さ、および厚さの試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの厚さ変動\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e改訂履歴\u003c\/b\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535-1015 (再承認 1121)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535-1015 (完全な書き換え)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535-0707 (技術改訂)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535-1106 (技術改訂)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535-1104 (技術改訂)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535-00 (SEMI の初出版物)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MF1535-1015 (再承認 1121) - 現在","offer_id":40234288611395,"sku":"14746","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1535-1015 - 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