{"product_id":"mf139200-semi-mf1392-test-method-for-determining-net-carrier-density-profiles-in-silicon-wafers-by-capacitance-voltage-measurements-with-a-mercury-probe","title":"MF139200 - SEMI MF1392 - 水銀プローブを使用した容量電圧測定によるシリコンウェーハの正味キャリア密度プロファイルを決定するための試験方法","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。 ASTM International によって当初 ASTM F1392-92 として発行されました。以前は 2012 年 5 月に出版されました。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e正味のキャリア密度は、シリコンのエピタキシャル層の成長における重要なパラメータです。このテスト方法は、層上に特別なダイオード構造を形成することなく、正味のキャリア密度を決定する手段を提供します。また、研磨されたシリコンウェーハの正味キャリア密度の特性評価にも使用できます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、研究開発、プロセス管理、材料の仕様、評価、および受け入れの目的で使用できます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e再現性を確立するための研究室間の試験データがない場合 (¶ 14.2 を参照)、この試験方法は、試験当事者が再現性と相関関係を確立した後にのみ、材料の仕様と承認に使用する必要があります。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、約 4 × 1013 ～約 8 × 1016 キャリア\/cm \u003cfont face=\"Symbol\"\u003e-3 の範囲\u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003e(抵抗率の範囲は約 0.1 ～ 約 100 Ω)\u003c\/font\u003e\u003c\/font\u003eのエピタキシャルおよび研磨バルク シリコン ウェーハの正味キャリア密度および正味キャリア密度プロファイルの測定を対象としています。 \u003cfont face=\"Symbol\"\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003e\u003ci\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003eｎ\u003c\/font\u003e\u003c\/i\u003e\u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003e型ウェーハでは約０．２４～約３３０Ω・ｃｍ、 \u003ci\u003eｐ\u003c\/i\u003e型ウェーハでは約０．２４～約３３０Ω・ｃｍ）。\u003c\/font\u003e\u003c\/font\u003e\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこのテスト方法では、エピタキシャルまたは研磨されたウェーハ表面に水銀プローブが接触したショットキー バリア ダイオードを形成する必要があります。信頼性の高いショットキーバリアダイオードを製造するには、シリコン表面の化学処理が必要な場合があります。表面処理の化学薬品は、 \u003ci\u003en\u003c\/i\u003e型ウェーハと\u003ci\u003ep\u003c\/i\u003e型ウェーハでは異なります。このテスト方法は、ウェーハ表面に形成されたショットキー接点による汚染の可能性があるため、破壊的であると考えられる場合があります。ただし、同じ試験片に対して繰り返し測定を行うこともできます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、同じまたは反対の導電型の基板上のエピタキシャル層に適用できます。この試験方法には、絶縁バックシール層の有無にかかわらず基板を測定するための治具の説明が含まれています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cb\u003e参照されるSEMI規格\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e\u003cp\u003eSEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイド\u003cbr\u003eSEMI C29 — 4.9% フッ化水素酸 (10:1 v\/v) の仕様およびガイド\u003cbr\u003eSEMI C30 — 過酸化水素の仕様 \u003cbr\u003eSEMI E89 — 測定システム分析 (MSA) のガイド\u003cbr\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003cbr\u003eSEMI MF26 — 半導体単結晶の配向を決定するための試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF84 — インライン 4 点プローブを使用してシリコンウェーハの抵抗率を測定するテスト方法\u003cbr\u003eSEMI MF672 — 広がり抵抗プローブを使用してシリコンウェーハの表面に垂直な抵抗率プロファイルを測定する試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF723 — ホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンの抵抗率とドーパントまたはキャリア密度の間の変換の実践\u003cbr\u003eSEMI MF1153 — 容量電圧測定による金属酸化シリコン (MOS) 構造の特性評価のための試験方法\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MF1392-0307 (Reapproved 1023) - Current","offer_id":43106889531459,"sku":"17220","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1392-0307 (Reapproved 0718) - Superseded","offer_id":43106889564227,"sku":"4928","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1392-0307 (再承認 0512) - 置き換えられました","offer_id":40234305519683,"sku":"9836","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1392-0307 - 置き換えられました","offer_id":40234305552451,"sku":"9835","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF1392-1103 - 置き換えられました","offer_id":40234305585219,"sku":"9837","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MFVolume_b99b06c5-8369-4605-9e94-40f8e326db15.png?v=1776702551","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/mf139200-semi-mf1392-test-method-for-determining-net-carrier-density-profiles-in-silicon-wafers-by-capacitance-voltage-measurements-with-a-mercury-probe","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}