{"product_id":"mf037400-semi-mf374-test-method-for-sheet-resistance-of-silicon-epitaxial-diffused-polysilicon-and-ion-implanted-layers-using-an-in-line-four-point-probe-with-the-single-configuration-procedure","title":"MF037400 - SEMI MF374 - シングル構成手順によるインライン 4 点プローブを使用したシリコンエピタキシャル層、拡散層、ポリシリコン層、およびイオン注入層のシート抵抗の試験方法","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの規格は、シリコンウェーハ世界技術委員会によって技術的に承認されました。この版は、2018 年 2 月 1 日にグローバル監査およびレビュー小委員会によって発行が承認されました。2018 年 7 月に www.semiviews.org および www.semi.org で入手可能になります。 ASTM International によって当初 ASTM F374-74T として発行されました。以前は 2012 年 3 月に出版されました。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e注意: この文書は編集上若干の変更を加えて再承認されました。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eシリコンのエピタキシャル層、拡散層、注入層のシート抵抗は、材料の受け入れおよびプロセス制御の重要なパラメータです。シート抵抗測定は、単独で使用することも、別途取得した層厚の値と組み合わせて、エピタキシャル層またはポリシリコン層の抵抗率、または拡散層のドーパントの表面濃度の推定値を取得することもできます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、材料の受け入れ、製造管理、研究、開発での使用に適しています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、測定対象の薄層とは反対の導電型を有する円形シリコンウェーハの表面上または表面下にエピタキシー、拡散、または注入によって形成されたシリコンの薄層の平均シート抵抗の直接測定を対象としています。絶縁層上にポリシリコンを堆積する。測定は、単一構成の 4 点プローブを使用してウェーハの中心で行われます。この構成では、外側のピンに電流が流れ、その結果生じる電位差が内側のピンで測定されます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、直径 15.9 mm (0.625 インチ) を超える円形サンプルに適用されます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法は、少なくとも 0.2 μm の厚さを有するフィルムに適用できることが知られています。 10 ～ 5,000 \u003cfont size=\"2\" face=\"Arial\"\u003eΩ の範囲のシート抵抗を測定するために使用できます。\u003c\/font\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこの試験方法の原理は、シート抵抗のより低い値またはより高い値をカバーするように拡張できます。ただし、この方法の精度は、¶ 2.3 に示されているもの以外のシート抵抗範囲については評価されていません。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e試験片の準備、そのサイズの測定、および測定中の試験片の温度の測定手順も示します。適切な計算を簡単に実行できるように、円形ジオメトリに適した補正係数の簡略表がこの方法に含まれています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003eこのテスト方法には、プローブヘッドと電気測定装置の両方をチェックする手順が含まれています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e 4 つのプローブ チップ間の間隔は、研磨されたシリコン表面にプローブ チップによって形成されたくぼみの測定値から決定されます。このテストは、プローブ先端の状態を判断するためにも使用されます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e \u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e電気測定装置の精度は、既知の標準抵抗器と、プローブ先端と半導体表面の間の接触部の抵抗をシミュレートする他の抵抗器を含むアナログ回路によってテストされます。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e SI単位で記載されている値は目安となります。括弧内の値は情報提供のみを目的としています。\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"left\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cb\u003e参照されるSEMI規格\u003c\/b\u003e\u003cbr\u003e\u003cp\u003eSEMI C19 — アセトンの仕様\u003cbr\u003eSEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイド\u003cbr\u003eSEMI C31 — メタノールの仕様\u003cbr\u003eSEMI C59 — 窒素の仕様\u003cbr\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003cbr\u003eSEMI MF42 — 外部半導体材料の導電型の試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF1529 — デュアル構成手順によるインライン 4 点プローブによるシート抵抗均一性評価の試験方法\u003cbr\u003eSEMI MF2074 — シリコンおよびその他の半導体ウェーハの直径を測定するためのガイド\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI MF374-0312 (Reapproved 1023) - Current","offer_id":43106888548419,"sku":"17203","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF374-0312 (Reapproved 0718) - Superseded","offer_id":43106888581187,"sku":"4954","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF374-0312 - 置き換えられました","offer_id":40234305945667,"sku":"9937","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF374-0307 - 置き換えられました","offer_id":40234306011203,"sku":"9936","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF374-1105 - 置き換えられました","offer_id":40234306043971,"sku":"9938","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI MF374-02 - 置き換えられました","offer_id":40234306109507,"sku":"9935","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MFVolume_22bd2378-8f62-41de-8112-4416b3f759e4.png?v=1776702524","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/mf037400-semi-mf374-test-method-for-sheet-resistance-of-silicon-epitaxial-diffused-polysilicon-and-ion-implanted-layers-using-an-in-line-four-point-probe-with-the-single-configuration-procedure","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}