{"product_id":"m09100-semi-m91-test-method-for-determination-of-threading-screw-dislocation-density-in-4h-sic-by-x-ray-topography","title":"M09100 - SEMI M91 - X線トポグラフィーによる4H-SICの貫通ねじ転位密度の測定のための試験方法","description":"\u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e貫通ねじ転位 (TSD) は、4H-SiC から製造されたいくつかのタイプの電子デバイスに有害です。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eほとんどの TSD は基板からエピタキシャル層に転写され、エピ層にピットを引き起こす可能性があり、特定の処理ステップでは問題となる可能性があります。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e \u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eTSD の密度と分布は、ウェーハの品質を評価したり、誤ったデバイス構造の故障解析を行うための重要なパラメータです。 X 線トポグラフィー (XRT) は、このタスクを実行できます。このテスト方法は測定手順に関する情報を提供し、受け入れテストに使用できます。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法では、TSD の識別と登録に XRT を使用した、円形の試験スライスおよび市販の 4H-SiC ウェーハ上の TSD 密度の測定を対象としています。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e \u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eTSD 密度は、結晶の結晶学的完全性の尺度として使用されます。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法では、サンプル品質の要件と、TSD 識別に適したトポグラムを取得する手順について説明します。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法は、最大\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e5000 cm \u003csup\u003e-2\u003c\/sup\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003eの TSD 密度の材料に適用できます\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e。材料の分析される側の抵抗率、導電性タイプ、および極性は無関係です。\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e参照SEMI規格\u003c\/b\u003e（別途購入）\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e \u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M20 — ウェーハ座標系確立の実践\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M52 — 130 nm ～ 11 nm テクノロジー世代のシリコンウェーハ用走査表面検査システムを指定するためのガイド\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M55 — 研磨単結晶炭化ケイ素ウェーハの仕様\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003cbr\u003e\u003cbr\u003e\u003cb\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003e改訂履歴\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/b\u003e \u003cbr\u003e\u003cspan style=\"font-size:11pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style=\"font-family:Calibri,sans-serif\"\u003e\u003cspan style=\"font-size:10.0pt\"\u003e\u003cspan style=\"line-height:107%\"\u003e\u003cspan style='font-family:\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M91-0622 (初公開)\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/span\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI M91-0622 - 現在","offer_id":40234389733443,"sku":"15113","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MVolume_0b6e0aa5-2dc9-4570-9aa1-2cff1d952941.png?v=1776701626","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/m09100-semi-m91-test-method-for-determination-of-threading-screw-dislocation-density-in-4h-sic-by-x-ray-topography","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}