{"product_id":"m08900-semi-m89-test-method-for-recombination-lifetime-of-the-epilayer-of-the-silicon-epitaxial-wafer-p-p-n-n-by-the-short-wavelength-excitation-microwave-photoconductive-decay-method","title":"M08900 - SEMI M89 - 短波長励起マイクロ波光導電減衰法によるシリコンエピタキシャルウェーハ（p\/p+、n\/n+）のエピ層の再結合寿命の試験方法","description":"\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e近年、ULSI などのデバイスが開発されています。\u003c\/span\u003e\n\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eますます小型化と集積化が進んでいます。その結果、ハイテク機器では\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eより低い基板を備えたエピタキシャルウェーハ（p\/p+、n\/n+）がますます増えています。\u003c\/span\u003e\n \nエピタキシャルウェーハは他のタイプのウェーハよりも有利であるため、抵抗率が高くなります。\n\nシリコンウェーハはいくつかの点で優れています。たとえば、その機能には次のようなものがあります。\n\nデバイスのアクティブ領域の完全性、ゲッタリング容量、ラッチの抵抗\n\n一方、エピタキシャルウェーハでは深刻な問題が懸念されています。\n\n重金属汚染などの製造プロセスの問題\n\nエピ層での欠陥形成。したがって、標準化する必要があります。\n\n品質評価手段としての再結合寿命の測定方法\n\nエピタキシャルウェーハの汚染、結晶欠陥など\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eこの規格は、以下の測定方法を規定します。\u003c\/span\u003e\n\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eシリコンエピタキシャルウェーハ（エピタキシャルウェーハ）のエピ層における再結合寿命。\u003c\/span\u003e\n\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003ep\/p+[++]、n\/n+[n++]) 短波長マイクロ波光伝導減衰法による\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e励起光源（短波長励起μ-PCD法）。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e \u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e \u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eエピ層の評価には、閉じ込める必要があります。\u003c\/span\u003e\n\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eエピ層内の過剰なキャリア。したがって、エピタキシャルシリコンのサンプルは、\u003c\/span\u003e\n\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eウェーハは p\/p+ (++) または n\/n+ (++) 構造でなければなりません。\u003c\/span\u003e \u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e \u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e参照SEMI規格\u003c\/b\u003e（別途購入）\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M1 — 研磨単結晶シリコンの仕様\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eウエハース\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M59 — の用語\u003c\/span\u003e\n \nシリコンテクノロジー\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF28 — 少数キャリア寿命の試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e光伝導減衰の測定によるバルクゲルマニウムとシリコン\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF42 — 外部物質の導電率タイプの試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e半導体材料\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF84 — 抵抗率を測定するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eインライン 4 点プローブを備えたシリコンウェーハ\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF391 — 少数キャリア拡散の試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e定常状態表面の測定による固有半導体の長さ\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e光電圧\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF533 — 厚さおよび厚さの試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eシリコンウェーハのバリエーション\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF673 — 抵抗率を測定するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e非接触の半導体ウエハまたは半導体フィルムのシート抵抗\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e渦電流計\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF723 — 抵抗率間の変換の練習\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eホウ素ドープ、リンドープ、およびヒ素ドープのシリコンのドーパント濃度\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF978 — 半導体を特性評価するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e過渡容量技術による深いレベル\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1388 — 発電寿命と試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e静電容量時間測定によるシリコン材料の生成速度\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e金属酸化シリコン (MOS) コンデンサ\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1530 — 平坦度、厚さ、および厚さの試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの厚さ変動\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI MF1535—キャリア再結合寿命の試験方法\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e光導電率の非接触測定による電子グレードのシリコンウェーハの測定\u003c\/span\u003e\n\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eマイクロ波反射率による減衰\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e \u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e改訂履歴\u003c\/b\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family: \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \u0026lt;!--nl--\u0026gt; \"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M89-0721 (初公開)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI M89-0721 - 現在","offer_id":40234375807043,"sku":"14594","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MVolume_482357b4-8331-4b7e-8536-2412e266c607.png?v=1776701690","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/m08900-semi-m89-test-method-for-recombination-lifetime-of-the-epilayer-of-the-silicon-epitaxial-wafer-p-p-n-n-by-the-short-wavelength-excitation-microwave-photoconductive-decay-method","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}