SEMI M66 - MISフラットバンド電圧―絶縁膜厚法を使った、酸化膜、およびhigh-κゲートスタックの有効な仕事関数の計算方法 -

E 本書は2007 年2月に編集上修正がなされた。変更箇所は，¶ R2-2.3 である。

CMOS集積回路の継続的な縮小により，ムーアの法則による予測や，国際半導体技術マップロード（ International Technology Roadmap for Semiconductors ）の予測を達成するためには，新規材料やリソグラフィ技術の革新が必要なところゲート絶縁膜膜厚が1nmに応じて、一般的に使われてきたゲート絶縁膜とゲート電極ができる材料（ _SiO2とドープされたポリシリコン）の特性では、今後のノードに対応できない。 従来のCMOSに使われている + yap +ポリシリコンゲート電極に代わる材料を探すため、代替材料候補の有効な仕事関数を実験により算出することが新たに注目を集めている。

新たなゲート電極材料に要求される特徴の一つは、シリコン酸化膜（SiO ₂ 膜）とSiO ₂ に代わって開発が進められているhigh -κ 膜の両方のゲート絶縁膜のために使えるゲート電極の仕事関数の差は，ゲート電極材料とシリコン基板の特性によるのみに見えるが，さまざまな，金属と絶縁体の相互作用が，有効な仕事関数に影響を考慮して電位シフトを解析発生させることが報告されている。一応、これらの影響を十分考慮したテスト片構造と求められる。

これらの測定が初めて広く使われるようになって以降，プロセス技術やウェーハ作製法が変化したことは，テスト片構造作成と解析方法の変更が必要なことを示している。 ，この変更を明確にすることである。 それは、測定、フラットバンド電圧―絶縁膜厚法より得られたゲート電極有効仕事関数データの測定、解析と報告を含む。

SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF1153 — 容量電圧測定による金属酸化シリコン (MOS) 構造の特性評価のための試験方法