{"product_id":"m06400-semi-m64-test-method-for-the-el2-deep-donor-concentration-in-semi-insulating-si-gallium-arsenide-single-crystals-by-infrared-absorption-spectroscopy","title":"M06400 - SEMI M64 - 赤外吸収分光法による半絶縁性 (SI) ガリウムヒ素単結晶中の EL2 ディープドナー濃度の試験方法","description":"\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp dir=\"ltr\" align=\"justify\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこのテスト メソッドの目的は、次のメソッドを指定することです。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e赤外線によるSI GaAsのディープドナーEL2の濃度の測定\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e吸収。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cbr\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法では、\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSI GaAs のディープドナー EL2 の濃度。この方法では次の点に焦点を当てます。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e標準化による測定の精度と再現性の向上\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eテスト条件とレポート、および定期的な校正による\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e測定。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eこの試験方法は、SI GaAs サンプルを対象とすることを目的としています。\u003c\/span\u003e\n \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e1 × 106 ～ 5 × 108 Ω・cm の範囲の電気抵抗率を測定\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e炭素をドーピングすることによって。 EL2 の濃度は 5 × 1015 より大きくなければなりません\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003ecm−3。\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n \u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e参照SEMI規格\u003c\/b\u003e（別途購入）\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M39 — 抵抗率とホールを測定するための試験方法\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e半絶縁性 GaAs シングルにおけるホール移動度の係数と決定\u003c\/span\u003e\n\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eクリスタル\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003e\u003cb\u003e改訂履歴\u003c\/b\u003e\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e\u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M64-0915 (再承認 0422)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M64-0915 (技術改訂)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e\n\u003cp\u003e\u003c\/p\u003e\n\n\n\u003cp class=\"MsoNormal\"\u003e \u003cspan style='font-size:10.0pt;line-height:107%;font-family:\u0026lt;!--nl--\u0026gt;\"Arial\",sans-serif'\u003eSEMI M64-0306 (初公開)\u003c\/span\u003e\u003c\/p\u003e","brand":"semi.org","offers":[{"title":"SEMI M64-0915 (再承認 0422) - 現在","offer_id":40234306371651,"sku":"14997","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI M64-0915 - 置き換えられました","offer_id":40234306699331,"sku":"4885","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true},{"title":"SEMI M64-0306 - 置き換えられました","offer_id":40234306928707,"sku":"9716","price":31900.0,"currency_code":"JPY","in_stock":true}],"thumbnail_url":"\/\/cdn.shopify.com\/s\/files\/1\/0567\/3402\/3747\/files\/MVolume_44a73fcf-dcad-4c0f-a0df-ce179a61b544.png?v=1776702593","url":"https:\/\/store-dev2.semi.org\/ja-jp\/products\/m06400-semi-m64-test-method-for-the-el2-deep-donor-concentration-in-semi-insulating-si-gallium-arsenide-single-crystals-by-infrared-absorption-spectroscopy","provider":"SEMI Dev 2","version":"1.0","type":"link"}