Japan Store
SEMI M60 - シリコンウェーハ評価のためのSiO2の経時絶縁破壊特性の試験方法 -
Volume(s):
Materials
Language:
Japanese
Type: Single Standards Download (.pdf)
Abstract
本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2005年11月29日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 2006年2 月にwww.semi.org で、そして2006年3月にCD- ROMで入手可能となりました。 初版は2005年1月発行、前版は2005 年3 月に発行されました。
E本スタンダードは2006 年5月に編集上の修正がなされました。修正箇所は，¶ 10.2.7 である。
本基準は、GOI（Gate Oxide Integrity ：ゲート酸化膜の完全性）評価をするにつき、ウェーハ評価の固有事項・問題について記載している。より一般的な評価法全般については、§ 3 の基準M51でのTZDBは、偶発性破壊モード(Bモード)と耐破壊モード(Cモード)による不良率を評価するのに有効である。 偶発性破壊モードを検出するのに有効である。
参照されるSEMI規格
SEMI C3.6 — シリンダー内のホスフィン (PH3) の規格、99.98% の品質
SEMI C3.54 — シラン (SiH4) のガス純度ガイドライン
SEMI C21 — 水酸化アンモニウムの仕様とガイドライン
SEMI C27 — 塩酸の仕様とガイドライン
SEMI C28 — フッ化水素酸の仕様とガイドライン
SEMI C30 — 過酸化水素の仕様とガイドライン
SEMI C35 — 硝酸の仕様とガイドライン
SEMI C38 — オキシ塩化リンに関するガイドライン
SEMI C41 — 2-プロパノールの仕様とガイドライン
SEMI C44 — 硫酸の仕様とガイドライン
SEMI C54 — 酸素の仕様とガイドライン
SEMI C59 — 窒素の仕様とガイドライン
SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M51 — ゲート酸化膜の完全性によるシリコンウェーハの特性評価のための試験方法。
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語 (再承認2000)
SEMI MF1771 — 電圧ランプ技術によるゲート酸化膜の完全性を評価するための標準テスト方法
 |
Interested in purchasing additional SEMI Standards? Consider SEMIViews, an online portal with access to over 1000 Standards. |
Refund Policy: Due to the nature of our products, SEMI has a no refund/no exchange policy. Please make sure that you have reviewed your order prior to finalizing your purchase. All sales are final.
0件