SEMI M57 - シリコンアニールウェーハの仕様 -

Abstract

本基準は、global Silicon Wafer Committee で技術的に承認されている。現版は2013年2月3日、global Audits and Reviews Subcommittee にて発行が承認された。 およびwww.semi.orgで入手可能となる。初版は2004年7月、前版は2011年10月発行。

本仕様が提供するのは、半導体デバイスおよび集積回路組立てに使用されるシリコンアニールウェーハを規定するための情報である。

本仕様は180 nm 、 130 nm 、 90 nm(表R1-1)、65 nm、45 nm、32 nm、(表R1-2)、22 nm (表R1-3)世代のデバイスにおけるシリコンアニールウェーハの幾何学的、電気的、化学的および構造の特性を含んでいる。

この文書の使用者は、本ガイダンスに基づいて、シリコンアニールウェーハの仕様書を作成することができます。

アニールウェーハを使用する理由のひとつは、アニールウェーハ表層の結晶起源粒子（COP）を減らすことができるということである。 。

SEMI M1 — 研磨単結晶シリコンウェーハの仕様
SEMI M35 — 自動検査によって検出されるシリコンウェーハ表面特徴の仕様開発ガイド
SEMI M45 — 300 mm ウェーハ出荷システムの仕様
SEMI M53 — パターンのない半導体ウェーハ表面への単分散ポリスチレン ラテックス球の堆積を使用した走査表面検査システムの校正の実践
SEMI M58 — DMA ベースの粒子堆積システムおよびプロセスを評価するための試験方法
SEMI M59 — シリコンテクノロジーの用語
SEMI MF81 — シリコンウェーハの半径方向抵抗率変化を測定するための試験方法
SEMI MF391 — 定常状態の表面光電圧の測定による外部半導体の少数キャリア拡散長の試験方法
SEMI MF523 — 研磨されたシリコンウェーハ表面の肉眼による検査の実践
SEMI MF951 — シリコンウェーハの半径方向の格子間酸素の変動を判定するための試験方法
SEMI MF1239 — 格子間酸素還元の測定によるシリコンウェーハの酸素析出特性の試験方法
SEMI MF1530 — 自動非接触スキャンによるシリコンウェーハの平坦度、厚さ、総厚さのばらつきを測定する試験方法
SEMI MF1535 — マイクロ波反射率による光導電率減衰の非接触測定によるシリコンウェーハのキャリア再結合寿命の試験方法
SEMI MF1617 — 二次イオン質量分析法によるシリコンおよびエピ基板上の表面のナトリウム、アルミニウム、カリウム、および鉄を測定するための試験方法
SEMI MF1726 — シリコンウェーハの結晶学的完全性の分析の実践
SEMI MF1727 — 研磨されたシリコンウェーハの酸化誘発欠陥の検出の実践
SEMI MF1809 — シリコンの構造欠陥を描写するためのエッチング溶液の選択と使用に関するガイド
SEMI T3 — ウェーハボックスラベルの仕様
SEMI T7 — 二次元マトリックスコードシンボルを使用した両面研磨ウェーハの裏面マーキングの仕様

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